[发明专利]磁记录介质的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种硬盘等磁记录介质的制造方法。

背景技术

硬盘磁记录介质中，已知DTR(Discrete Track Recording media：离散跟踪记录介质)或BPM(Bit Patterned Media：位介质)，尤其是多个磁性膜成位(bit)状分散的BPM被作为下一代高密度记录介质而备受期待。

关于这种磁记录介质的磁性膜，此前提出了通过使用了蚀刻工艺的构图来形成位。磁记录介质在记录再现时，由于磁头上浮于磁记录介质的表面，所以要求表面平滑。因此，在构图后，需要由非磁性材料来填埋磁性膜之间的平滑化工序。

为了省去平滑化工序，简化工序，已知如下方法，即：向在磁性膜上配置了抗蚀剂层的处理对象物上照射处理气体的离子(离子束)的方法(参照下述专利文献1、2)。

虽然磁性膜中被抗蚀剂层覆盖的部分被保护，未被非磁性化，但向未配置抗蚀剂层的处理部中注入作为处理气体的构成原子即目标元素，进行非磁性化。因此，在磁性膜上，沿抗蚀剂层的开口图案，形成非磁性化的部分，磁性残留的部分(磁性部)被非磁性化的部分分离，构成磁记录介质的记录部。

专利文献1：特开2002-288813号公报

专利文献2：特开2008-77756号公报

为了将处理部从表面非磁性化至底面，通常在磁性膜内设定目标元素的注入量为最大的峰值深度，利用成为所设定的峰值深度的加速电压来照射离子束。

但是，若由底版(压膜)等形成抗蚀剂，则处理部上也将残留抗蚀剂的薄膜，若该薄膜被离子束蚀刻，则即便加速电压恒定，峰值深度也会向底面侧移动。若峰值深度向底面侧移动，则磁性膜的表面部分等未被充分非磁性化，磁性部未被分离。若磁性部未被分离，则当写入信息时将引起称为洇字（書きにじみ）的现象。

发明内容

为了解决上述课题，本发明涉及一种磁记录介质的制造方法，在具有基板、和配置在所述基板表面上的磁性膜的处理对象物的所述磁性膜上，配置了具有离子遮蔽部、和膜厚比所述离子遮蔽部薄的离子透过部的抗蚀剂，加速处理气体的离子，使所述处理气体的构成元素透过所述离子透过部，向所述磁性膜的所述离子透过部所在的处理部注入所述构成元素，使其非磁性化，其中，改变用于加速所述处理气体的离子的加速电压，从而使所述处理部非磁性化。

本发明涉及一种磁记录介质的制造方法，其中，对应于所述离子透过部的膜厚变化，以使所述构成元素的注入量为最大的距所述磁性膜表面的深度恒定的方式来改变所述加速电压。

本发明涉及一种磁记录介质的制造方法，其中，改变所述加速电压，以使所述构成元素的注入量为最大的距所述磁性膜表面的深度发生移动。

本发明涉及一种磁记录介质的制造方法，其中，以使所述构成元素的注入量为最大的距所述磁性膜表面的深度从所述基板侧移动到所述抗蚀剂侧的方式来改变所述加速电压。

本发明涉及一种磁记录介质的制造方法，其中，以使所述构成元素的注入量为最大的距所述磁性膜表面的深度从所述抗蚀剂侧移动到所述基板侧的方式来改变所述加速电压。

发明效果

通过改变加速电压，可将目标元素的注入量为最大的峰值深度设为设定的深度，故能够从磁性膜的表面至底面均匀地非磁性化。由于进行信息写入/读出的磁性部(记录部)被分离，故磁图案的对比度好，不会引起洇字。

附图说明

图1是表示本发明中使用的制造装置的一例的截面图。

图2(a)～(c)是示意地表示非磁性化的工序的截面图。

图3是表示磁记录介质的一例的截面图。

符号说明

40……处理对象物

41……基板

44……磁性膜

47……离子遮蔽部

48……离子透过部

49……抗蚀剂。

具体实施方式

图1的符号10表示本发明中使用的制造装置的一例。

该制造装置10具有真空槽11和离子发生装置15。

离子发生装置15的内部空间经未图示的释放口连接于真空槽11的内部空间。将气体供给系统16连接到离子发生装置15，将真空排气系统19连接到真空槽11。

由真空排气系统19对真空槽11内部进行真空排气，从气体供给系统16向离子发生装置15内提供例如N₂气等处理气体，若通电到离子发生装置15内的高频天线(未图示)，则在离子发生装置15内处理气体将离子化，产生带正电或负电的处理气体的离子。