[发明专利]用于制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造具有包括第一至第n级的多级分频电路的半导体器件的方法，所述多级分频电路通过将第一信号输入到所述多级分频电路中而将所述第一信号转换成具有比所述第一信号更低频率的第二信号，其中所述第一至第n级电连接成使得前级分频电路的输出变成下一级分频电路的输入，

其中对应于所述前级分频电路的基本单元和对应于所述下一级分频电路的基本单元布局成使得所述前级分频电路的接线的寄生电容或电连接到所述前级分频电路的接线的寄生电容小于所述下一级分频电路的接线的寄生电容或电连接到所述下一级分频电路的接线的寄生电容。

2.一种用于制造具有包括第一至第n级的多级分频电路的半导体器件的方法，所述多级分频电路通过将第一信号输入到所述多级分频电路中而将所述第一信号转换成具有比所述第一信号更低频率的第二信号，其中所述第一至第n级电连接成使得前级分频电路的输出变成下一级分频电路的输入，

其中对应于所述前级分频电路的基本单元和对应于所述下一级分频电路的基本单元布局成使得所述前级分频电路的接线的寄生电阻或电连接到所述前级分频电路的接线的寄生电阻小于所述下一级分频电路的接线的寄生电阻或电连接到所述下一级分频电路的接线的寄生电阻。

3.一种用于制造具有包括第一至第n级的多级分频电路的半导体器件的方法，所述多级分频电路通过将第一信号输入到所述多级分频电路中而将所述第一信号转换成具有比所述第一信号更低频率的第二信号，其中所述第一至第n级电连接成使得前级分频电路的输出变成下一级分频电路的输入，

其中对应于所述前级分频电路的基本单元和对应于所述下一级分频电路的基本单元布局成使得所述前级分频电路的接线的接线长度或电连接到所述前级分频电路的接线的接线长度短于所述下一级分频电路的接线的接线长度或电连接到所述下一级分频电路的接线的接线长度。

4.一种用于制造具有包括第一至第n级的多级分频电路的半导体器件的方法，所述多级分频电路通过将第一信号输入到所述多级分频电路中而将所述第一信号转换成具有比所述第一信号更低频率的第二信号，其中所述第一至第n级电连接成使得前级分频电路的输出变成下一级分频电路的输入，

其中对应于所述前级分频电路的基本单元和对应于所述下一级分频电路的基本单元布局成使得所述前级分频电路的接线或电连接到所述前级分频电路的接线与另一条接线交叉的次数小于所述下一级分频电路的接线或电连接到所述下一级分频电路的接线与另一条接线交叉的次数。

5.一种用于制造具有包括第一至第n级的多级分频电路的半导体器件的方法，所述多级分频电路通过将第一信号输入到所述多级分频电路中而将所述第一信号转换成具有比所述第一信号更低频率的第二信号，其中所述第一至第n级互相电连接成使得第i(i是从1到n-1的自然数)级分频电路的输出变成第(i+1)级分频电路的输入，

其中对应于第一级分频电路的基本单元和对应于第二级分频电路至第n级分频电路的基本单元布局成使得所述第一级分频电路的接线的寄生电容或电连接到所述第一级分频电路的接线的寄生电容小于所述第二级分频电路至第n级分频电路的接线的寄生电容或电连接到所述第二级分频电路至第n级分频电路的接线的寄生电容。

6.一种用于制造具有包括第一至第n级的多级分频电路的半导体器件的方法，所述多级分频电路通过将第一信号输入到所述多级分频电路中而将所述第一信号转换成具有比所述第一信号更低频率的第二信号，其中所述第一至第n级互相电连接成使得第i(i是从1到n-1的自然数)级分频电路的输出变成第(i+1)级分频电路的输入，

其中对应于第一级分频电路的基本单元和对应于第二级分频电路至第n级分频电路的基本单元布局成使得所述第一级分频电路的接线或电连接到所述第一级分频电路的接线的寄生电阻小于所述第二级分频电路至第n级分频电路的接线的寄生电阻或电连接到所述第二级分频电路至第n级分频电路的接线的寄生电阻。