[发明专利]分立半导体器件和形成密封沟槽结终端的方法

权利要求书

1. 一种分立半导体器件，包含：

包括第一导电类型的半导体材料的基板；

在该基板上形成的第一半导体层，该第一半导体层具有第一导电类型的半导体材料；

在该第一半导体层上形成的第二半导体层，该第二半导体层具有与第一导电类型的半导体材料相反的第二导电类型的半导体材料；以及

穿过该第二半导体层形成且延伸到该第二半导体层中的沟槽，该沟槽衬有绝缘层且填充有绝缘材料。

2. 根据权利要求1所述的分立半导体器件，其中该第一和第二半导体层之间的边界形成p-n结且沟槽环绕该p-n结以终止在该第二半导体层上强加的电压的电场。

3. 根据权利要求1所述的分立半导体器件，其中该沟槽具有圆形或多边形形状。

4. 根据权利要求1所述的分立半导体器件，其中该沟槽包括相对于该第二半导体层的表面的垂直侧壁。

5. 根据权利要求1所述的分立半导体器件，其中该绝缘层是二氧化硅且该绝缘材料选自由以下组成的组：氮化硅、氮氧化硅、二氧化硅、五氧化二钽、氧化锆、氧化铝、多晶硅、非晶硅以及半绝缘多晶硅。

6. 一种制备分立半导体器件的方法，包含：

提供包括第一导电类型的半导体材料的基板；

在该基板上形成第一半导体层，该第一半导体层具有第一导电类型的半导体材料；

在该第一半导体层上形成第二半导体层，该第二半导体层具有与第一导电类型的半导体材料相反的第二导电类型的半导体材料；

形成穿过该第二半导体层且延伸到该第二半导体层中的沟槽；以及

在该沟槽中沉积绝缘材料。

7. 根据权利要求6所述的方法，其中该第一和第二半导体层之间的边界形成p-n结且沟槽环绕该p-n结以终止在该第二半导体层上强加的电压的电场。

8. 根据权利要求6所述的方法，其中该沟槽具有圆形或多边形形状。

9. 根据权利要求6所述的方法，其中该沟槽包括垂直侧壁。

10. 根据权利要求6所述的方法，其中该绝缘层是二氧化硅且该绝缘材料选自由以下组成的组：氮化硅、氮氧化硅、二氧化硅、五氧化二钽、氧化锆、氧化铝、多晶硅、非晶硅以及半绝缘多晶硅。

11. 根据权利要求6所述的方法，还包括使该沟槽衬有绝缘层。

12. 一种制备分立半导体器件的方法，包含：

提供包括第一导电类型的半导体材料的基板；

在该基板的第一表面上形成第一半导体层，该第一半导体层具有与第一导电类型的半导体材料相反的第二导电类型的半导体材料；

形成穿过该第一半导体层且延伸到基板中的第一沟槽；以及

在该第一沟槽中沉积绝缘材料。

13. 根据权利要求12所述的方法，还包括：

在与基板的第一表面相反的基板的第二表面上形成第二半导体层，该第二半导体层具有第二导电类型的半导体材料；以及

形成穿过该第二半导体层且延伸到该基板中的第二沟槽，该第二沟槽填充有绝缘材料。

14. 根据权利要求13所述的方法，还包括：

在该第一半导体层中形成第三半导体层，该第三半导体层具有第一导电类型的半导体材料；以及

形成穿过该第三半导体层周围的第一半导体层的第三沟槽，该第三沟槽填充有绝缘材料。

15. 根据权利要求12所述的方法，其中该第一半导体层和基板之间的边界形成p-n结且该第一沟槽环绕该p-n结以终止在该第一半导体层上强加的电压的电场。

16. 根据权利要求12所述的方法，其中该第一沟槽具有圆形或多边形形状。

17. 根据权利要求12所述的方法，其中该第一沟槽包括垂直侧壁。

18. 根据权利要求12所述的方法，其中该绝缘材料选自由以下组成的组：氮化硅、氮氧化硅、二氧化硅、五氧化二钽、氧化锆、氧化铝、多晶硅、非晶硅以及半绝缘多晶硅。

19. 根据权利要求12所述的方法，还包括平整化该绝缘材料到该第一半导体层的表面。