[发明专利]蒸镀装置、蒸镀方法以及存储有程序的存储介质

权利要求书

1.一种蒸镀装置，具有：

多个蒸镀源，其具有材料容器和载气导入管，使被收纳在所述材料容器中的成膜材料气化，借助从所述载气导入管导入的第1载气输送所述成膜材料的气化分子；

连接管，其与所述多个蒸镀源的每一个连接，输送在各个蒸镀源中被输送的成膜材料的气化分子；

旁路管，其与所述连接管连接，将第2载气直接导入所述连接管；及

处理容器，其内置有与所述连接管连接的喷出机构，从所述喷出机构喷出使用所述第1及第2载气输送的成膜材料的气化分子，在该处理容器的内部对被处理体进行成膜。

2.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，还具有：

多个开闭机构，其分别被设置在所述多个蒸镀源与所述连接管之间，用于开闭将所述多个蒸镀源与所述连接管连接起来的输送路径；及

控制装置，其通过利用所述多个开闭机构使所述输送路径开闭，按照从所述多个蒸镀源导入到所述连接管的第1载气的变动，对所述第2载气的流量进行调整。

3.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，

所述旁路管在自所述多个蒸镀源与所述连接管连接的位置开始且远离所述喷出机构的位置与所述连接管连接。

4.根据权利要求2所述的蒸镀装置，其特征在于，

所述控制装置具有：

存储部，其表示针对各种成膜材料的成膜速度与载气的流量之间的关系；

成膜速度运算部，其根据来自被安装在所述处理容器内的膜厚传感器的输出信号求出被处理体的成膜速度；

第1载气调整部，其使用所述存储部表示的成膜速度与载气的流量的关系，按每个蒸镀源调整第1载气的流量，以便使由所述成膜速度运算部求出的成膜速度接近目标的成膜速度；

第2载气调整部，其按照通过所述第1载气调整部的调整而导入所述连接管的第1载气的变动，调整所述第2载气的流量。

5.根据权利要求4所述的蒸镀装置，其特征在于，

所述第1载气调整部在由所述成膜速度运算部求出的成膜速度与作为目标的各个蒸镀源的成膜速度的差量小于规定的阈值时，按每个蒸镀源调整第1载气的流量，以便使由所述成膜速度运算部求出的成膜速度接近作为目标的各个蒸镀源的成膜速度。

6.根据权利要求4所述的蒸镀装置，其特征在于，

所述第2载气调整部对导入所述旁路管的第2载气的流量进行调整，以便使在所述连接管中被输送的第1及第2载气的总流量不变。

7.根据权利要求4所述的蒸镀装置，其特征在于，

还具有温度调整部，该温度调整部在由所述成膜速度运算部求出的各个蒸镀源的成膜速度与作为目标的各个蒸镀源的成膜速度的差量在规定的阈值以上时，对每个蒸镀源的温度进行调整，以便使各个蒸镀源的成膜速度接近作为目标的各个蒸镀源的成膜速度。

8.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，

将有机EL成膜材料或有机金属成膜材料作为成膜材料，在被处理体上形成有机EL膜或有机金属膜。

9.一种蒸镀方法，包括：

在具有材料容器和载气导入管的多个蒸镀源中使被收纳在所述材料容器中的成膜材料分别气化，利用从所述载气导入管导入的第1载气输送所述成膜材料的气化分子的步骤；

将在各个蒸镀源中被输送的成膜材料的气化分子输送到与所述多个蒸镀源的每一个连接的连接管的步骤；

从与所述连接管连接的旁路管向所述连接管直接导入第2载气的步骤；

使利用所述第1及第2载气输送的成膜材料的气化分子从与所述连接管连接的喷出机构喷出，在处理容器内部对被处理体进行成膜的步骤。

10.根据权利要求9所述的蒸镀方法，其特征在于，

还包括利用分别被设置在所述多个蒸镀源与所述连接管之间的多个开闭机构，开闭将所述多个蒸镀源与所述连接管连接起来的输送路径的步骤，

在所述旁路管向所述连接管直接导入第2载气的步骤中，通过利用所述开闭机构使所述输送路径开闭，按照从所述多个蒸镀源导入所述连接管的第1载气的变动，一边调整所述第2载气的流量一边将所述第2载气导入所述连接管。

11.一种存储介质，其存储有用于使计算机执行以下处理的程序：

在具有材料容器和载气导入管的多个蒸镀源中使被收纳在所述材料容器中的成膜材料气化，利用从所述载气导入管导入的第1载气输送所述成膜材料的气化分子的处理；

将在各个蒸镀源中被输送的成膜材料的气化分子输送到与所述多个蒸镀源的每一个连接的连接管的处理；

从与所述连接管连接的旁路管向所述连接管直接导入第2载气的处理；

使用所述第1及第2载气，将成膜材料的气化分子输送到与所述连接管连接的喷出机构，从所述喷出机构喷出，在处理容器内部对被处理体进行成膜的处理。