[发明专利]蒸镀装置、蒸镀方法以及存储有程序的存储介质

说明书

技术领域

本发明涉及蒸镀装置、蒸镀方法以及存储有程序的存储介质，尤其是涉及通过载气的流量调整控制蒸镀装置的成膜速度。

背景技术

在制造平板显示器等电子设备时，采用通过使规定的成膜材料气化，并使气化后的成膜分子附着在被处理体上，来对被处理体进行成膜的蒸镀技术。在利用蒸镀技术制造设备时，高精度地控制对被处理体的成膜速度(D/R：Deposition Rate)对在被处理体上均匀地形成高质量的膜并由此提高产品的性能来说是非常重要的。因此，早已提出了在基板的附近配置膜厚传感器，根据由膜厚传感器检测出的结果对蒸镀源的温度进行调整，以使得成膜速度恒定的方案(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2005-325425号公报。

发明所要解决的问题

然而，在利用多个蒸镀源使不同种类的成膜材料气化，并使各个成膜材料的气化分子一边混合一边输送到处理容器，在处理容器内对被处理体实施成膜处理的情况下，会发生下面之类问题，即，使用被安装在被处理体附近的膜厚传感器，虽然能够检测出混合后的成膜材料的成膜速度，但是无法分别地确认各个蒸镀源的成膜材料的蒸发速度。

对此，提出了一种在对各个蒸镀源的蒸发速度进行检测时，在各个蒸镀源的成膜材料的输送路径上插入阀，并通过关闭进行材料蒸发速度的检测的蒸镀源以外的蒸镀源的阀，来按每一个蒸镀源检测材料的成膜速度的方法。但是，若关闭进行材料蒸发速度的检测的蒸镀源以外的蒸镀源的阀，虽然能够检测出单一成膜材料的蒸发速度，但是用于输送材料的输送路径内的压力比共同蒸镀中的输送路径内的压力降低了被关闭了阀的蒸镀源内的蒸汽压(分压)的大小。因此，被检测出的单一成膜材料的蒸发速度与共同蒸镀中的实际的蒸发速度不同，而无法测量共同蒸镀中的真正的蒸发速度。

另一方面，若按每个蒸镀源安装膜厚传感器，则可以分别地确认各个蒸镀源的成膜材料的蒸发速度。但是，在使用这种方法时，需要有与蒸镀源的数量相同数量的膜厚传感器，不仅提高了成本，还增加了通常时及维护时的控制负担。另外，安装与蒸镀源的数量相同数量的膜厚传感器，还会导致占据物理空间。

为了解决上述问题，本发明提供一种对分别被收纳在多个蒸镀源中的各个成膜材料的蒸发速度及对被处理体的成膜速度进行高精度控制的蒸镀装置、蒸镀方法以及存储有程序的存储介质。

用于解决问题的手段

为了解决上述课题，本发明的一个实施方式的蒸镀装置，具有：多个蒸镀源，其具有材料容器和载气导入管，使被收纳在上述材料容器中的成膜材料气化，借助从上述载气导入管导入的第1载气输送上述成膜材料的气化分子；连接管，其与上述多个蒸镀源的每一个连接，输送在各个蒸镀源中被输送的成膜材料的气化分子；旁路管，其与上述连接管连接，将第2载气直接导入上述连接管；及处理容器，其内置有与上述连接管连接的喷出机构，从上述喷出机构喷出使用上述第1及第2载气输送的成膜材料的气化分子，在该处理容器的内部对被处理体进行成膜。

这里，所谓气化不仅包括液体变为气体的现象，还包含固体不经由液体的状态而直接变为气体的现象(即，升华)。

由此，例如，根据从被设置在被处理体附近的QCM(Quartz Crystal Microbalance：石英微天平分析仪)等膜厚传感器输出的信号，对被处理体的成膜速度进行检测。此时，即使从各个蒸镀源导入的第1载气的流量发生变动，也可以根据该变动，改变从旁路管导入的第2载气的流量，来使第1及第2载气的总流量为恒定。

每个蒸镀源的材料的蒸发速度(气化速度)可以根据导入各个蒸镀源的第1载气的流量来进行调整。这样，可以通过第1载气的流量调整高精度地控制被处理体上的膜中所含有的各个成膜材料的混合比率，从而可以形成优质的膜。

另一方面，为了控制上述各个成膜材料的混合比率而使第1载气的流量变动时，在借助第1载气输送材料的气化分子的连接管内的压力发生变动。但是，根据本发明的构成，如前述那样，通过改变从旁路管导入的第2载气的流量，可以使第1及第2载气的总流量恒定。其结果，可以使连接管内的压力恒定。从而，可以保持成膜速度恒定。即，根据本发明，通过第1载气的调整，可以准确地控制膜内的成膜材料的混合比率，从而，形成具有良好特性的膜，并且，通过第2载气的调整使到喷出机构之前的输送路径的压力保持恒定，由此，可以将被处理体的成膜速度保持为恒定。

另外，作为载气，优选氩气、氦气、氪气、氙气等惰性气体。此外，在上述蒸镀装置中，也可以将有机EL成膜材料或者有机金属材料作为成膜材料，通过蒸镀在被处理体上形成有机EL膜或者有机金属膜。