[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200980139353.7 | 申请日： | 2009-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102165579A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 松本周子;高桥康之 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/04;H01L29/861 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 朱海煜;王忠忠 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括；
天线；
配置成从所述天线接收电力的存储电路；
配置成检测输入到所述存储电路的电压的检测电路；以及
配置成根据来自所述检测电路的输出信号控制所述存储电路的操作的控制电路，
其中所述检测电路包括：
输入端；
用于输出来自所述检测电路的输出信号的输出端；
参考电压端；
第一电阻器，其中所述第一电阻器的一端电连接到所述输入端；
晶体管，其中所述晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述输入端并且所述晶体管的栅极电连接到所述第一电阻器的另一端；
具有串联连接的多个二极管的二极管部分，其中所述二极管部分的一端电连接到所述第一电阻器的另一端并且所述二极管部分的另一端电连接到所述参考电压端；
第二电阻器，其中所述第二电阻器的一端电连接到所述参考电压端并且所述第二电阻器的另一端电连接到所述晶体管的源极和漏极中的另一个；以及
缓冲电路；
其中所述晶体管的源极和漏极中的另一个和所述第二电阻器的另一端通过所述缓冲电路电连接到所述输出端。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个二极管是二极管接法的N型晶体管。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个二极管是二极管接法的P型晶体管。
4.如权利要求1所述的半导体器件，
其中所述二极管部分包括连接部分，所述连接部分中所述多个二极管中的一个或多个的阳极电连接到所述参考电压端；以及
其中串联连接的二极管数目能够通过电断开所述连接部分而增加。
5.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述连接部分的电断开通过激光辐射进行。
6.如权利要求1所述的半导体器件，
其中所述二极管部分包括断开部分，所述断开部分中所述多个二极管中的一个或多个的阳极未电连接到所述参考电压端；以及
其中串联连接的二极管数目能够通过电连接所述断开部分而减少。
7.一种半导体器件包括；
天线；
配置成整流来自所述天线的信号的整流电路；
电连接到所述整流电路以被供应所述整流电路的输出电压的存储电路；
配置成检测所述整流电路的输出电压的检测电路；以及
配置成根据来自所述检测电路的输出信号控制所述存储电路的操作的控制电路，
其中所述检测电路包括：
输入端；
用于输出来自所述检测电路的输出信号的输出端；
参考电压端；
第一电阻器，其中所述第一电阻器的一端电连接到所述输入端；
晶体管，其中所述晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述输入端并且所述晶体管的栅极电连接到所述第一电阻器的另一端；
具有串联连接的多个二极管的二极管部分，其中所述二极管部分的一端电连接到所述第一电阻器的另一端并且所述二极管部分的另一端电连接到所述参考电压端；
第二电阻器，其中所述第二电阻器的一端电连接到所述参考电压端并且所述第二电阻器的另一端电连接到所述晶体管的源极和漏极中的另一个；以及
缓冲电路；
其中所述晶体管的源极和漏极中的另一个和所述第二电阻器的另一端通过所述缓冲电路电连接到所述输出端。
8.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述多个二极管是二极管接法的N型晶体管。
9.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述多个二极管是二极管接法的P型晶体管。
10.如权利要求7所述的半导体器件，
其中所述二极管部分包括连接部分，所述连接部分中所述多个二极管中的一个或多个的阳极电连接到所述参考电压端；以及
其中串联连接的二极管数目可以通过电断开所述连接部分而增加。
11.如权利要求10所述的半导体器件，其中所述连接部分的电断开通过激光辐射进行。
12.如权利要求7所述的半导体器件，
其中所述二极管部分包括断开部分，所述断开部分中所述多个二极管中的一个或多个的阳极未电连接到所述参考电压端；以及
其中串联连接的二极管数目可以通过电连接所述断开部分而减少。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
