[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 200980139353.7 | 申请日: | 2009-09-01 |
公开(公告)号: | CN102165579A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 松本周子;高桥康之 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822;H01L27/04;H01L29/861 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 朱海煜;王忠忠 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
技术领域
本技术领域涉及半导体器件以及用于驱动半导体器件的方法。特别地,本技术领域涉及一种能够采用通过无线通信的非接触方式传送和接收信息的半导体器件。
背景技术
近几年,个体识别技术引人注意,其中个体识别信息(ID)指定给每个对象用于辨别该对象上的信息,例如其历史。特别地,能够采用通过使用无线电波的无线通信的非接触方式传送和接收数据的半导体器件已经开发。这种半导体器件称为RFID标签(也称为无线标签,IC标签,IC芯片,无线芯片,非接触式信号处理装置,或者半导体集成电路芯片),并且已经投入市场用于产品管理,及其类似物(例如,参见专利文献1)。
[参考文献]
[专利文件1]日本公布的专利申请号2007-5778
发明内容
在专利文献1中公开的常规半导体器件具有下面问题。在缺陷部分在电路中存在以及该半导体器件的规格内的电压(在下文中,也称为规定电压)不能被获得的情况下,该缺陷部分用探测器或类似物检测,其要求许多时间和努力。
此外,在读出器/写入器和半导体器件之间具有长距离时进行通信的情况下,由于传送弱信号以及不能获得规定电压,出现该半导体器件不正常操作的问题。
鉴于前面的问题,本发明的目的是在半导体器件中容易检测是否获得在该半导体器件规格内的电压。
半导体器件的一个实施例包括检测内部电路的输出电压并且判断该输出电压是在半导体器件规格内还是外的检测电路。
用于确定输出电压是在该规格内还是外的信号(在下文中,也称为确定信号)从该检测电路传送到数字电路,并且该数字电路根据该信号控制电路操作。
半导体器件的另一个实施例包括检测电压并且输出确定信号的检测电路。该检测电路包括电压输入到其中的输入部分、参考电压输入到其中的布线、具有在该输入部分和该布线之间串联连接的多个二极管的二极管部分,以及该确定信号从其中输出的输出部分。该二极管的数目是可变的。
半导体器件的另一个实施例包括检测电压并且输出确定信号的检测电路,和用于根据该确定信号控制存储电路的操作的数字电路。该检测电路包括电压输入到其中的输入部分、参考电压输入到其中的布线、具有在该输入部分和该布线之间串联连接的多个二极管的二极管部分,以及该确定信号从其中输出的输出部分。该检测电路的检测范围由该多个二极管的数目控制,并且二极管的数目是可变的。
半导体器件的另一个实施例包括检测电压并且输出确定信号的检测电路。该检测电路包括电压输入到其中的输入部分、参考电压输入到其中的布线、晶体管、第一电阻器和第二电阻器、具有串联连接的多个二极管的二极管部分、缓冲电路以及该确定信号从其中输出的输出部分。该输入部分电连接到该第一电阻器的一端和该晶体管的源极。该第一电阻器的另一端电连接到该晶体管的栅极和该二极管部分的阳极。该二极管部分的阴极电连接到该布线和该第二电阻器的一端。该晶体管的漏极和该第二电阻器的另一端通过该缓冲电路电连接到该输出部分。二极管的数目是可变的。
半导体器件的另一个实施例包括检测电压并且输出确定信号的检测电路,和用于根据该确定信号控制存储电路的操作的数字电路。该检测电路包括电压输入到其中的输入部分、参考电压输入到其中的布线、晶体管、具有串联连接的多个二极管的二极管部分、第一电阻器和第二电阻器、缓冲电路,以及该确定信号从其中输出的输出部分。该输入部分电连接到该第一电阻器的一端和该晶体管的源极。该第一电阻器的另一端电连接到该晶体管的栅极和该二极管部分的阳极。该二极管部分的阴极电连接到该布线和该第二电阻器的一端。该晶体管的漏极和该第二电阻器的另一端通过该缓冲电路电连接到该输出部分。该检测线路的检测范围由该多个二极管的数目控制,并且该二极管的数目是可变的。
半导体器件的另一个实施例包括检测电压并且输出确定信号的检测电路,和用于根据该确定信号控制存储电路的操作的数字电路。该检测电路包括电压输入到其中的输入部分、参考电压输入到其中的布线、具有并联连接的多个晶体管的晶体管部分、具有串联连接的多个二极管的二极管部分、第一电阻器和第二电阻器、缓冲电路,以及该确定信号从其中输出的输出部分。该输入部分电连接到该第一电阻器的一端和该晶体管部分的源极。该第一电阻器的另一端电连接到该晶体管部分的栅极和该二极管部分的阳极。该二极管部分的阴极电连接到该布线和该第二电阻器的一端。该晶体管部分的漏极以及该第二电阻器的其它端通过该缓冲电路电连接到该输出部分。该检测电路的检测范围由该多个晶体管的数目和该多个二极管的数目控制,该晶体管的数目和二极管的数目是可变的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造