[发明专利]用于薄膜沉积的铌和钒有机金属前体

权利要求书

1.式Cp(R¹)_mM(NR²₂)₂(＝NR³)(I)的化合物：

其中：

M是独立地选自钒(V)或铌(Nb)的金属，且m≤5；

R¹是有机配体，各自独立地选自H、包含1至6个碳原子的直链或支化烃基；

R²是有机配体，各自独立地选自H、包含1至6个碳原子的直链或支化烃基；

R³是有机配体，选自H、包含1至6个碳原子的直链或支化烃基。

2.根据权利要求1的化合物，其中：

R¹选自H、包含1至4个碳原子的烷基，优选地，R¹是H或甲基或乙基或异丙基或叔丁基；

R²是包含1至3个碳原子的烷基，更优选地，R²是含1或2个碳原子的烷基；且

R³是含3或4个碳原子的烷基，更优选地，R³是异丙基或叔丁基。

3.根据权利要求1或2的化合物，其中各R¹彼此不同且各R²彼此不同。

4.根据权利要求1至3之一的化合物，其中式(I)中的m＝0。

5.下列化合物：

(Cp)V(＝NtBu)(NEt₂)₂

(Cp)V(＝NtBu)(NMe₂)₂

(Cp)V(＝NtBu)(N(EtMe)₂

(Cp)V(＝NiPr)(NEt₂)₂

(Cp)V(＝NiPr)(NMe₂)₂

(Cp)V(＝NiPr)(NEtMe)₂

(Cp)V(＝NC₅H₁₁)(NEt₂)₂

(Cp)V(＝NC₅H₁₁)(NMe₂)₂

(Cp)V(＝NC₅H₁₁)(NEtMe)₂

(Cp)Nb(＝NtBu)(NEt₂)₂

(Cp)Nb(＝NtBu)(NMe₂)₂

(Cp)Nb(＝NtBu)(N(EtMe)₂

(Cp)Nb(＝NiPr)(NEt₂)₂

(Cp)Nb(＝NiPr)(NMe₂)₂

(Cp)Nb(＝NiPr)(NEtMe)₂

(Cp)Nb(＝NC₅H₁₁)(NEt₂)₂

(Cp)Nb(＝NC₅H₁₁)(NMe₂)₂

(Cp)Nb(＝NC₅H₁₁)(NEtMe)₂。

6.在基底上形成含金属的层的方法，该方法包括至少下列步骤：

a)提供包含至少一种权利要求1至5之一的式(I)的前体化合物的蒸气；

b)根据沉积法，使包含所述至少一种式(I)的化合物的所述蒸气与基底反应以在所述基底的至少一个表面上形成含金属络合物的层。

7.权利要求6的方法，其中所述沉积法是原子层沉积法。

8.权利要求6的方法，其中所述沉积法是化学气相沉积法。