[发明专利]补偿在非易失性存储器中的读操作期间的耦合

权利要求书

1.一种用于操作非易失性存储器的方法，包括：

读所选存储元件(625)的至少一个位线-相邻的存储元件(621、624、623、626)来确知所述至少一个位线-相邻存储元件的数据状态，所述至少一个位线-相邻存储元件和所选存储元件与各个位线(BLi-1、BL、BLi+1)相关联；以及

读所选存储元件来确知所选存储元件的数据状态，包括向所选存储元件一次一个地施加不同的控制栅极读电压(VCGR-A、VGR-B、VCGR-C)，同时基于其确知的数据状态和控制栅极读电压来设置所述至少一个位线-相邻存储元件的各个位线的电压(VBL0-VBL3；VBL-E；VBL-A2、VBL-A3；VBL-B1、VBL-B2、VBL-B3；VBL-C1、VBL-C2、VBL-C3)。

2.根据权利要求1的方法，其中：对于每个控制栅极读电压，所述至少一个位线-相邻的存储元件的各个位线的电压根据在其确知的数据状态(E、A、B、C)和与控制栅极读电压相关联的数据状态(A、B、C)之间的差来设置。

3.根据权利要求1或2的方法，其中：存在2^N个可能的数据状态，其中N≥2，且每个各个位线的电压被调整到2^N个可用的电平(VBL0-VBL3)之一。

4.根据权利要求1或2的方法，其中：存在2^N个可能的数据状态，其中，N≥2，且每个各个位线的电压被调整到多于2^N个可用的电平(VBL-E；VBL-A2，VBL-A3；VBL-B1，VBL-B2，VBL-B3；VBL-C1，VBL-C2，VBL-C3)之一。

5.根据权利要求1-4中的任一的方法，其中：

所述至少一个位线-相邻的存储元件和所选存储元件沿着公共字线(WLn)布置。

6.根据权利要求1-4中的任一的方法，其中：

所选存储元件沿着所选字线(WLn)布置，且所述至少一个位线-相邻的存储元件沿着所选字线的相邻字线(WLn+1)对角地布置。

7.根据权利要求1-6中的任一的方法，其中：当向所选存储元件施加对应的不同控制栅极读电压时，在至少一个位线-相邻的存储元件的各个位线上设置不同电压。

8.根据权利要求1-7中的任一的方法，其中：

读至少一个位线-相邻的存储元件以多步骤读操作(701；711；721)的第一步骤的部分出现；以及

读所选存储元件以多步骤读操作(702；712、713；722)的第二步骤的部分出现。

9.根据权利要求8的方法，其中：

所述多步骤读操作是奇偶读操作，其中分别从与偶数位线(713)相关联的存储元件中读(712)与奇数位线相关联的存储元件。

10.一种非易失性存储系统，包括：

一组存储元件(1100)，包括所选存储元件(625)和所选存储元件的至少一个位线-相邻的存储元件(621、624、623、626)；

各个位线(BLi-1、BL、BLi+1)，所述至少一个位线-相邻的存储元件和所选存储元件与各个位线相关联；以及

至少一个控制电路(1210、1250)，与所述存储元件组通信，所述至少一个控制电路读至少一个位线-相邻的存储元件来确知所述至少一个位线-相邻的存储元件的数据状态，并读所选存储元件来确知所选存储元件的数据状态，其中，为读所选存储元件，所述至少一个控制电路一次一个地向所选存储元件施加不同控制栅极读电压(VCGR-A、VGR-B、VCGR-C)，同时基于其确知的数据状态和控制栅极读电压来设置所述至少一个位线-相邻的存储元件的各个位线的电压(VBL0-VBL3、VBL-E、VBL-A2、VBL-A3、VBL-B1、VBL-B2、VBL-B3、VBL-C1、VBL-C2、VBL-C3)。

11.根据权利要求10的非易失性存储系统，其中：

对于每个控制栅极读电压，所述至少一个控制电路根据在其确知的数据状态(E、A、B、C)和与控制栅极读电压相关联的数据状态(A、B、C)之间的差来设置所述至少一个位线-相邻的存储元件的各个位线的电压。