[发明专利]用于应变半导体器件的渐变高锗化合物膜

权利要求书

1.一种形成晶体化合物膜的方法，包括：

选择性地形成低锗含量籽晶层；

在所述低锗含量籽晶层上选择性地形成过渡层，所述过渡层是在将处理温度从第一温度递减至第二温度的同时形成的；以及

在所述过渡层上选择性地形成高锗含量层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述过渡层是在将二氯硅烷、氯化氢、锗烷流量从较高流量递减至较低流量的同时形成的。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述过渡层是在将乙硼烷流量从较低流量增大至较高流量的同时形成的。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一温度是从700℃和800℃之间的范围内选择的。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二温度比所述第一温度低25-100℃之间。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述低锗含量籽晶层掺杂硼至5.0×10¹⁹原子/cm³-1.5×10²⁰原子/cm³之间范围的浓度。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述高锗含量层掺杂硼至2.0×10²⁰原子/cm³-3.0×10²⁰原子/cm³之间范围的浓度。

8.一种方法，包括：

在多栅极本体上形成栅极叠层和一对间隔结构，其中所述间隔结构形成在所述栅极叠层的横向相对两侧上；

在毗邻所述间隔结构的区域蚀刻所述多栅极本体；以及

选择性地沉积渐变的高锗含量的硅锗叠层以形成直接毗邻于所述多栅极本体的源极区和漏极区。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述渐变的高锗含量硅锗叠层由硅锗籽晶层、过渡层和高锗含量层构成。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述过渡层是在将二氯硅烷、氯化氢、锗烷流量从较高流量递减至较低流量的同时形成的。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述过渡层是在将乙硼烷流量从较低流量增大至较高流量的同时形成的。

12.如权利要求12所述的方法，其特征在于，形成所述过渡层开始于从700℃和800℃之间的范围内选择的第一温度。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，形成所述过渡层结束于从比所述第一温度低25-100℃之间的范围内选择的第二温度。

14.一种晶体管，包括：

形成在衬底上的栅极叠层；

形成在所述栅极叠层的横向相对两侧上的间隔结构；以及

形成在毗邻于所述间隔结构且在所述间隔结构下方的衬底上的源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区包括硅锗籽晶层、过渡层以及高锗含量层。

15.如权利要求14所述的晶体管，其特征在于，所述过渡层的下部具有在20-25原子重量％之间的范围内的锗含量并且所述过渡层的上部具有在40-55原子重量％之间的范围内的锗含量。

16.如权利要求14所述的晶体管，其特征在于，所述硅锗籽晶层掺杂硼至5.0×10¹⁹原子/cm³-1.5×10²⁰原子/cm³之间范围的浓度。

17.如权利要求15所述的晶体管，其特征在于，所述高锗含量层掺杂硼至2.0×10²⁰原子/cm³-3.0×10²⁰原子/cm³之间范围的浓度。

18.如权利要求15所述的晶体管，其特征在于，所述过渡层的厚度是从和之间的范围内选择的。

19.如权利要求18所述的晶体管，其特征在于，所述硅锗籽晶层的厚度是从之间的范围内选择的。

20.如权利要求19所述的晶体管，其特征在于，所述高锗含量层的厚度是从之间的范围内选择的。