[发明专利]碘系偏振薄膜及其制造方法

权利要求书

1.一种碘系偏振薄膜，其是使碘在高分子薄膜中吸附取向而成的碘系偏振薄膜，

所述碘的含量在1.9～3重量％/2.85mm³的范围内，在单片透射率为43～45％的范围内时波长610nm的正交吸光度A2与波长480nm的正交吸光度A1之比(A2/A1)为1.16以下。

2.根据权利要求1所述的碘系偏振薄膜，其中，所述高分子薄膜是聚乙烯醇薄膜。

3.根据权利要求1所述的碘系偏振薄膜，其中，所述聚乙烯醇薄膜由聚合度为500～10000的聚乙烯醇系树脂形成。

4.一种碘系偏振薄膜的制造方法，

其是使碘在高分子薄膜中吸附取向的碘系偏振薄膜的制造方法，

且其包括以下工序：

染色工序，通过使所述高分子薄膜浸渍在含碘溶液中而使碘吸附于该高分子薄膜中；

拉伸工序，从所述溶液中取出染色后的所述高分子薄膜，在该状态下，不加热所述高分子薄膜，以规定的拉伸倍率进行单轴拉伸；

交联工序，通过将所述单轴拉伸后的高分子薄膜浸渍在交联浴中，使该高分子薄膜交联。

5.根据权利要求4所述的碘系偏振薄膜的制造方法，其中，在所述染色工序中，不进行在含碘溶液中的高分子薄膜的单轴拉伸。

6.根据权利要求4所述的碘系偏振薄膜的制造方法，其中，在所述拉伸工序中进行的单轴拉伸的拉伸倍率为1.2～1.8倍的范围内。

7.根据权利要求4所述的碘系偏振薄膜的制造方法，其中，所述染色工序中的所述含碘溶液的温度在5～42℃的范围内，所述高分子薄膜的浸渍时间为1分钟～20分钟。

8.根据权利要求4所述的碘系偏振薄膜的制造方法，其中，所述染色工序的含碘溶液中的碘的浓度在0.010～10重量％的范围内。

9.根据权利要求4所述的碘系偏振薄膜的制造方法，其中，在所述染色工序中的含碘溶液中添加有碘化物，所述碘化物的浓度在0.010～10重量％的范围内。

10.根据权利要求4所述的碘系偏振薄膜的制造方法，其中，所述交联工序中的交联浴的温度在20℃～70℃的范围内，所述单轴拉伸后的高分子薄膜的浸渍时间为1秒钟～15分钟。

11.根据权利要求4所述的碘系偏振薄膜的制造方法，其中，所述交联工序中的交联浴中的交联剂的浓度在1～10重量％的范围内。

12.根据权利要求4所述的碘系偏振薄膜的制造方法，其中，在所述交联工序中的交联浴中添加有碘化物，所述碘化物的浓度在0.05～15重量％的范围内。

13.根据权利要求4所述的碘系偏振薄膜的制造方法，其中，其包括将所述交联工序后的高分子薄膜浸渍在洗涤浴中来洗涤的洗涤工序。

14.根据权利要求11所述的碘系偏振薄膜的制造方法，其中，其包括将所述洗涤工序后的高分子薄膜在干燥温度20℃～80℃、干燥时间1分钟～10分钟的条件下干燥的干燥工序。

15.一种偏振板，其在权利要求1所述的碘系偏振薄膜的至少一个面上设置有透明保护薄膜。