[发明专利]碘系偏振薄膜及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及在液晶显示装置、电致发光(EL)显示装置、等离子体显示器(PD)和场发射显示器(FED：Field Emission Display)等图像显示装置中使用的碘系偏振薄膜及其制造方法。另外，本发明涉及具备该偏振薄膜的偏振板。

背景技术

在图像显示装置(尤其液晶显示装置)中使用的偏振薄膜为了提供明亮、颜色再现性良好的图像，需要兼有高透射率和偏光度。这种偏振薄膜目前是如下制造的：通过用溶胀水将聚乙烯醇薄膜(以下称为“PVA薄膜”)溶胀之后，在染色工序中使具有二色性的碘或二色性染料等二色性物质吸附取向，并且进行单轴拉伸来制造(下述专利文献1)。

然而，在上述那样的通常的制造方法中，由于是在染色工序中在浸渍于染色液中的状态下进行拉伸的，因此，碘或二色性染料过量地吸附于PVA薄膜。结果，吸附的碘等发生了取向的降低，由此，在偏振薄膜中，具有在可见光(380～780nm)中的短波长区(380～410nm)发生漏光的问题。

为了防止上述漏光，作为制造取向度高的偏振薄膜的方法，可列举出下述专利文献2中记载的方法。根据该制造方法，将PVA薄膜干式拉伸，然后使碘或二色性染料吸附取向。接着，在硼酸水溶液中浸渍的同时进行拉伸。另外，作为干式拉伸，记载了使用热辊进行单轴拉伸的方法、在设置于加热烘箱内的辊间施加拉伸力的同时进行拉伸的辊间单轴拉伸法等通常的方法。

然而，在上述的制造方法中，在不进行溶胀工序的情况下加热PVA薄膜，并以4～5倍左右的拉伸倍率进行干式拉伸，进一步进行染色工序，因此，难以使碘等充分吸附于PVA薄膜。结果，在上述制造方法中，难以制作高偏光度的偏振薄膜。进而，若为了提高偏振光特性而增大在硼酸水溶液中进行的拉伸的拉伸倍率时，存在PVA薄膜发生破裂的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-341515号公报

专利文献2：日本特开平11-49878号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明是鉴于上述问题而做出的，其目的是提供碘系偏振薄膜及其制造方法，该偏振薄膜增加了可见光(380～780nm)中的短波长区(380～410nm)的光吸收，从而防止该短波长区的漏光的发生，并且光学特性优异。

用于解决问题的方案

本发明人等发现，如果为不在染色工序中的染色浴中进行拉伸而是在染色浴外部进行拉伸的碘系偏振薄膜，则可以改善可见光中的短波长区的光吸收，从而完成了本发明。

即，本发明的碘系偏振薄膜是用于解决上述问题的碘系偏振薄膜，其特征在于，其是使碘在高分子薄膜中吸附取向而成的碘系偏振薄膜，所述碘的含量在1.9～3重量％/2.85mm³的范围内，在单片透射率为43～45％的范围内时波长610nm的正交吸光度A2与波长480nm的正交吸光度A1之比(A2/A1)为1.16以下。

已知的是，通常波长480nm的正交吸光度是三价的碘络合物的含量的指标，波长610nm的正交吸光度是五价的碘络合物的含量的指标。碘吸附到高分子薄膜中而形成的三价碘络合物在可见光(380～780nm)中的短波长区(380～410nm)的光吸收能力高。因此，如上述构成那样，通过将单片透射率为43～45％的范围内时的波长610nm的正交吸光度A2与波长480nm的正交吸光度A1之比(A2/A1)设定在1.16以下，增加三价碘络合物的含量，可以提高可见光(380～780nm)中的短波长区(380～410nm)的光吸收。结果，有可能减少上述短波长区的漏光。

在上述构成中，上述高分子薄膜优选是聚乙烯醇薄膜。

本发明的碘系偏振薄膜的制造方法是用于解决上述问题的碘系偏振薄膜的制造方法，其特征在于，其是使碘在高分子薄膜吸附取向的碘系偏振薄膜的制造方法，其包括以下工序：染色工序，通过使上述高分子薄膜在含碘溶液中浸渍而使碘吸附于该高分子薄膜；拉伸工序，将染色后的上述高分子薄膜从上述溶液中取出，在该状态下，不加热上述高分子薄膜，以规定的拉伸倍率进行单轴拉伸；交联工序，通过将上述单轴拉伸后的高分子薄膜在交联浴中浸渍，使该高分子薄膜交联。