[发明专利]能使位错移位的制造和处理绝缘体上半导体型结构体的方法及相应结构体

权利要求书

1.一种制造和处理连续包含载体基板(1)、氧化物层(3)和半导体材料的薄层(2)的绝缘体上半导体型结构体的方法，所述结构体通过以下方式获得：

a)在所述载体基板(1)上结合包含所述半导体层(2)的给体基板，这些基板具有相同的晶体取向；

b)薄化所述给体基板以只留下所述薄层(2)，

-在所述载体基板(1)和薄层(2)中的一个和/或另一个上涂布有氧化物层(3)；

-所述载体基板(1)和薄层(2)各自在平行于它们的界面的平面中分别具有第一和第二晶格(R1，R2)；

其中：

1)在所述薄层(2)上形成掩模(4)，以界定所述层的表面上的暴露区域(20)，所述暴露区域(20)未被掩模(4)覆盖并根据所需图案分布；

2)在受控的中性或还原性气氛下并在受控的时间和温度条件下进行热处理，以促使氧化物层(3)的至少部分氧透过薄层(2)扩散，引起对应于所述所需图案的氧化物层(3)的区域(30)中氧化物的受控去除，

并且其特征在于：

-在步骤a)中，所述载体基板(1)和薄层(2)相对于彼此的设置，使得在所述载体基板(1)和薄层(2)之间并沿所述平行于它们的界面(I)的平面内，所述晶格形成不超过1°的称为“扭转角”的角(α)，并在垂直于它们的界面(I)的平面内，所述晶格形成不超过1°的称为“倾角”的角(β)；

-使用厚度低于1100埃的薄层(2)。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：在步骤a)中，所述载体基板(1)和薄层(2)被设置为使得在所述平行于它们的界面(I)的平面中，所述晶格(R1，R2)共同形成不超过0.5°的所谓“扭转角”。

3.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于：在步骤a)中，使用各自带有可视标记(10)的载体基板(1)和给体基板，所述可视标记(10)以相对于所述晶格(R1，R2)的确定的方向取向。

4.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于：使用厚度低于800埃的薄层(2)。

5.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于：在步骤b)中，通过所述给体基板沿预先形成的应力区域破裂而对所述给体基板进行处理，从而仅留下所述薄层(2)。

6.如权利要求1～5中任一项所述的方法，其特征在于：在步骤b)中，对所述给体基板通过经由其背面降低其厚度而进行处理，以仅留下所述薄层(2)。

7.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于：使用硅载体基板(1)。

8.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于：使用薄层(2)、特别是氧化硅薄层(2)，所述薄层(2)具有100埃～200埃的厚度。

9.一种半导体型结构体，所述结构体包含载体基板(1)和半导体材料的薄层(2)，其特征在于：

-所述薄层(2)包含隐埋氧化物(3)的区域(31)，使得存在第一区域和第二区域，在所述第一区域中，所述薄层(2)由所述隐埋氧化物(3)的区域(31)承载，在所述第二区域中，所述薄层(2)由所述载体基板(1)承载；

-位于氧化物(3)的所述区域(31)上的所述薄层(2)的材料以及位于这些区域(31)上的所述载体基板(1)的材料具有晶格，所述晶格在平行于它们的界面(I)的平面(P)中共同形成不超过1°的称为“扭转角”的角(α)，并且在垂直于它们的界面(I)的平面中共同形成不超过1°的称为“倾角”的角(β)；

-位于氧化物(3)的区域(31)之间并与载体基板(1)直接接触的所述薄层(2)的材料具有与该载体基板(1)的材料相同的晶格取向。

10.如权利要求9所述的结构体，其特征在于：在第二区域的周边，即在由载体基板(1)所承载的薄层(2)与隐埋氧化物(3)的区域(31)接触之处，存在位错。

11.如权利要求9或10所述的结构体，其特征在于：所述薄层具有低于1100埃的厚度。

12.如权利要求9～11中任一项所述的结构体，其特征在于：所述隐埋氧化物(3)的厚度为10纳米～20纳米。

13.如权利要求9～12中任一项所述的结构体，其特征在于：所述载体基板(1)由硅{1，0，0}制成。