[发明专利]制造晶片层合体的方法、制造晶片层合体的装置、晶片层合体、剥离支撑体的方法以及制造晶片的方法

权利要求书

1.一种制造晶片层合体的方法，所述晶片层合体包括：

a)晶片；

b)支撑体，用于支撑所述晶片；

c)粘合剂层，用于将所述晶片和所述支撑体粘附到彼此；以及

d)形成在所述晶片的外周上的树脂突出部分；

所述方法包括以下步骤：

(1)将所述晶片吸到位于上方的晶片吸附台上，将所述支撑体吸到位于下方的支撑体吸附台上，并将所述晶片和所述支撑体设置为在竖直方向上彼此相对；

(2)将液态粘合剂树脂施加到与所述晶片相对的所述支撑体的相对面上，以用于形成所述粘合剂层；

(3)在保持所述晶片和所述支撑体之间的平行性的同时使所述晶片和所述支撑体彼此靠近，并且向介于所述晶片和所述支撑体之间的所述粘合剂树脂施加压力并使所述粘合剂树脂铺展开，从而用所述粘合剂树脂填充所述晶片与所述支撑体之间的空间，并且在所述晶片的所述外周上形成所述树脂突出部分；和

(4)当所述晶片层合体达到预定厚度时，用紫外线照射所述粘合剂树脂，从而使所述粘合剂树脂硬化并形成所述粘合剂层。

2.根据权利要求1所述的制造晶片层合体的方法，其中在所述晶片和所述支撑体之间的所述空间中形成真空环境，并且所述粘合剂树脂介于其间，所述粘合剂树脂被施加压力并铺展开，从而用所述粘合剂树脂填充所述晶片和所述支撑体之间的空间，并且在所述晶片的所述外周上形成所述树脂突出部分。

3.根据权利要求1所述的制造晶片层合体的方法，其中在从所述支撑体吸附台和所述支撑体之间的空间去除气泡的同时，将所述支撑体吸到所述支撑体吸附台上，所述支撑体吸附台在吸附面上具有表面凹凸不平。

4.根据权利要求1所述的制造晶片层合体的方法，其中在将所述晶片吸到所述晶片吸附台上之前，用粘合剂树脂的底漆层涂覆所述晶片的所述相对面，所述粘合剂树脂具有大致相当于所述粘合剂层的性能。

5.根据权利要求1所述的制造晶片层合体的方法，其中所述支撑体是树脂膜，厚度为30-200μm，并且在室温23℃下的弯曲弹性模量不小于1000MPa且不大于10000MPa。

6.根据权利要求1所述的制造晶片层合体的方法，其中所述支撑体具有大于所述晶片的外径的尺寸，从而能够接纳从所述晶片和所述支撑体之间的所述空间挤出的所述粘合剂树脂。

7.根据权利要求1所述的制造晶片层合体的方法，其中所述粘合剂层是紫外线硬化型粘合剂树脂层，在硬化前在23℃的液态下，其粘度不小于100cP且低于10000cP。

8.一种用于制造晶片层合体的制造装置，包括：

晶片吸附台，用于吸附晶片；

支撑体吸附台，设置在所述晶片吸附台下侧并与所述晶片吸附台相对，用于真空吸附要通过液态粘合剂树脂附接到所述晶片的支撑体；和

紫外线辐照源，用于用紫外线来照射所述粘合剂树脂，以使所述粘合剂树脂硬化；

其中所述支撑体吸附台能够透射所述紫外线，并且具有表面凹凸不平以便能够吸住所述支撑体。

9.根据权利要求8所述的用于制造晶片层合体的制造装置，其中所述支撑体吸附台是在吸附面上具有凹凸不平的玻璃台。

10.一种通过权利要求1所述的方法制成的晶片层合体。

11.一种晶片层合体，包括：

晶片；

支撑体，支撑所述晶片；

粘合剂层，将所述晶片粘附到所述支撑体；和

形成在所述晶片的外周上的树脂突出部分。

12.一种剥离支撑体的方法，其中在对权利要求11所述的晶片层合体的反面进行磨削以将所述晶片的厚度减小至预定厚度之后，将所述支撑体连同所述粘合剂层一起从所述晶片层合体上剥离，其中以如下方式将所述支撑体连同所述粘合剂层一起从所述晶片层合体上剥离：当所述支撑体向后折叠成基本上U形时，所述晶片不弯曲。

13.一种制造晶片的方法，包括：

提供权利要求11所述的晶片层合体；

将所述晶片磨削至所需厚度；和

在完成磨削之后，将所述支撑体连同所述粘合剂层一起从所述晶片层合体上剥离。