[发明专利]制造晶片层合体的方法、制造晶片层合体的装置、晶片层合体、剥离支撑体的方法以及制造晶片的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种制造具有经粘合剂粘附到彼此的晶片和支撑体的晶片层合体的方法、一种制造晶片层合体的装置、一种晶片层合体、一种剥离支撑体的方法、以及一种制造晶片的方法。

背景技术

通常，当制造厚度减小的半导体芯片时，形成有电路图案和电极的半导体晶片的反面被磨削，以使得半导体晶片可被加工成最终形状的各个芯片。常规做法是通过保护带来固定半导体晶片的电路这一面，然后对反面进行磨削。然而，由于在一些情况下在电路这一面上形成有高度为几十μm的凹凸结构，所以保护带无法吸收此凹凸结构，电路图案被转印到半导体晶片的反面上。在这种情况下，应力集中于凸起部分上，半导体晶片开裂。为了解决上述问题，采取了这样的对策：将保护带的粘合剂层做得较厚，或者将基材做得较厚或形成为多层结构。以上对策有一定的效果。然而，在晶片带有凸起电极，该凸起电极的高度不小于100μm(称为高隆起)的情况下，保护带难以吸收形成在电路面上的凹凸部分。另外，保护带本身有时具有10μm的厚度偏差。在这种情况下，相同厚度偏差将影响晶片。

作为解决上述问题的一个常规例子，JP2004-064040中提出了一种方法，其中利用液态粘合剂将高度刚性的保护基材，如玻璃基材或金属基材，粘附到半导体晶片上。由于使用了液态粘合剂，因此可完全吸收半导体晶片表面上的凹凸部分。由于可通过高度刚性的保护基材来保护半导体晶片，因此可解决诸如在磨削反面时半导体晶片的电路图案被转印的问题、或者诸如半导体晶片开裂的问题。

JP2002-203827中公开了另一常规例子，其中通过粘合剂将保护基材粘附到半导体晶片上。在此常规例子的制造方法中，有下列描述。在JP2004-064040的第[0009]段，“用于形成涂层的涂层溶液被施加以使得凹凸部分可嵌入涂层中。使涂层溶液的表面形成涂层。涂层的断裂伸长率为30至700％，断裂应力为1.0×10⁷至5.0×10⁷Pa。”关于使涂层溶液平滑，在第[0026]段有下列描述。“为了使涂层溶液的表面平滑，例如，如图2所示，可以这样的方式使涂层溶液的表面平滑：将诸如玻璃板的平滑表面板构件4粘附到用于形成涂层的涂层溶液的表面上。”为了使涂层溶液硬化，在第[0028]中有下列描述。“在如图2所示使用板形构件4的情况下，当使用能量射线硬化型树脂作为形成用于形成涂层的涂层溶液2的硬化树脂时，从板构件4侧照射能量射线以使用于形成涂层的涂层溶液2形成为涂层。”

发明内容

然而，对于使用粘合剂将玻璃基材或金属基材粘附到半导体晶片上的方法，存在这样的问题：难以将玻璃基材或金属基材从高度刚性的半导体晶片上剥离，其中所述半导体晶片的厚度已通过磨削半导体晶片的反面而减小。因此，已经提出了预先在保护基材上设置隔离层并进行激光剥离的方法。然而，由于需要复杂的装置，所以仍需要一种简单的方法。

在一个方面，本发明提供一种制造晶片层合体的方法、一种用于制造晶片层合体的装置、一种晶片层合体、一种剥离支撑体的方法以及一种制造晶片的方法，其均能够改善晶片反面的磨削特性。

在另一方面，本发明提供一种制造晶片层合体的方法、一种用于制造晶片层合体的装置、一种晶片层合体、一种剥离支撑体的方法以及一种制造晶片的方法，其允许支撑体和粘合剂层在晶片反面的磨削之后被容易地剥离。

为了解决上述问题，在一个实施例中，本发明提供一种制造晶片层合体的方法，所述晶片层合体包括：a)晶片；b)支撑体，其用于支撑所述晶片；c)粘合剂层，其用于将所述晶片和所述支撑体粘附到彼此；d)形成在所述晶片的侧壁的外周上的树脂突出部分；所述方法包括步骤：(1)将所述晶片吸到位于上方的晶片吸附台上，将所述支撑体吸到位于下方的支撑体吸附台上，并将所述晶片和所述支撑体设置为在竖直方向上彼此相对；(2)将液态粘合剂树脂施加到与所述晶片相对的所述支撑体的相对面上，以用于形成所述粘合剂层；(3)在保持所述晶片和所述支撑体之间的平行性的同时使所述晶片和所述支撑体彼此靠近，并且向介于所述晶片和所述支撑体之间的粘合剂树脂施加压力并使所述粘合剂树脂铺展开，从而用所述粘合剂树脂填充所述晶片与所述支撑体之间的空间，并且在所述晶片的侧壁的外周上形成所述树脂突出部分；以及(4)当所述晶片层合体达到预定厚度时，用紫外线照射所述粘合剂树脂，从而使所述粘合剂树脂硬化并形成所述粘合剂层。