[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
申请号: | 200980142808.0 | 申请日: | 2009-11-11 |
公开(公告)号: | CN102197463A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 神户宽久 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B23K26/00;B23K26/08;B23K26/10;H01L31/04 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 杨谦;胡建新 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
相关申请的交叉引用
本申请主张2008年11月13日提交的日本特愿2008-291064号的优先权,并通过参照而引用该日本特愿2008-291064号的全部内容。
技术领域
本发明涉及基板处理装置以及基板处理方法,对具有基板和设置在该基板上的膜面的被处理基板中的、膜面的边缘部照射激光来进行处理。
背景技术
以往,已知一种基板处理装置,对具有基板和设置在该基板上的膜面的被处理基板中的、膜面照射激光,该基板处理装置具备:照射激光的激光照射装置;载台,在将膜面定位在下方的状态下仅支持被处理基板的周缘部;以及保持机构,从下方对被放置在该载台上的被处理基板的膜面进行支持,将被处理基板保持为平坦的状态;保持机构具有多个销形状的基板支持部(参照日本特开2001-111078号公报以及日本特开2002-280578号公报)。
但是,在如现有技术那样通过销形状的基板支持部来支持膜面的情况下,基板支持部的按压力有可能对膜面产生不良影响。并且,很难将大型化的被处理基板保持为均匀的面,被处理基板会挠曲,膜面的处理精度变差。尤其是,在对膜面的边缘部进行加工时,仅通过内部的膜面来支撑被加工基板,对膜面产生的不良影响会进一步变大。
发明内容
本发明是考虑到这一点而做出的,其目的在于提供一种基板处理装置和使用了这种基板处理装置的基板处理方法,该基板处理装置不会对膜面产生不良影响而可靠地防止被处理基板挠曲,而且能够提高膜面的处理精度。
本发明的基板处理装置对具有基板和设置在该基板上的膜面的被处理基板中的、该膜面的边缘部进行处理,其中,该基板处理装置具备:吸附保持部,在上述膜面位于上述基板另一侧的状态下,从一侧吸附保持上述被处理基板;激光照射装置,照射激光;以及激光移动部,使上述激光照射装置移动;在从上述激光照射装置照射激光的同时使该激光照射装置移动,由此对由上述吸附保持部保持的上述被处理基板中的上述膜面的边缘部进行处理。
本发明的基板处理装置可以为,还具备一对定位部,对上述被处理基板进行夹持而进行定位;上述吸附保持部从一侧吸附保持由上述定位部夹持的上述被处理基板,在由上述吸附保持部保持了上述被处理基板之后,上述定位部释放该被处理基板。
本发明的基板处理装置可以为,还具备旋转驱动部,通过使上述吸附保持部旋转而使上述被处理基板旋转;在从上述激光照射装置照射激光的同时使该激光照射装置沿着规定方向移动,由此对上述被处理基板的一个边缘部进行处理;之后,在通过上述旋转驱动部使上述被处理基板旋转之后,在从上述激光照射装置照射激光的同时使该激光照射装置沿着上述规定方向移动,由此对该被处理基板的其他边缘部进行处理。
在这样的基板处理装置中可以为,上述激光照射装置的下端位于比上述吸附保持部的端部靠一侧的位置。
本发明的基板处理装置可以为,上述吸附保持部具有与上述被处理基板抵接的抵接部和设置在该抵接部的面内的多个吸附部,上述抵接部具有金属板和设置在该金属板下表面的树脂片。
本发明的基板处理方法对具有基板和设置在该基板上的膜面的被处理基板中的、该膜面的边缘部进行处理,其中,该基板处理方法具备:在上述膜面位于上述基板另一侧的状态下,通过吸附保持部从一侧吸附保持上述被处理基板的工序;从激光照射装置照射激光的工序;以及通过激光移动部使上述激光照射装置在水平方向上移动的工序;在从上述激光照射装置照射激光的同时使该激光照射装置移动,由此对由上述吸附保持部保持的上述被处理基板中的上述膜面的边缘部进行处理。
本发明的基板处理方法可以为,在通过定位部夹持上述被处理基板之后,进行从一侧吸附保持上述被处理基板的工序,之后,由该定位部释放该被处理基板。
本发明的基板处理方法可以为,在从上述激光照射装置照射激光的同时使该激光照射装置沿着规定方向移动,由此对上述被处理基板的一个边缘部进行处理;之后,在通过上述旋转驱动部使上述被处理基板旋转之后,在从上述激光照射装置照射激光的同时使该激光照射装置沿着上述规定方向移动,由此对该被处理基板的其他边缘部进行处理。
根据本发明,在基板位于膜面的上方的状态下,通过吸附保持部从上方吸附保持该基板,从激光照射装置照射的激光来处理膜面的边缘部,因此不会对膜面产生不良影响,能够可靠地防止被处理基板挠曲,进而能够提高膜面的处理精度。
附图说明
图1是表示本发明实施方式的基板处理装置的吸附保持部、旋转驱动部以及激光照射装置的侧视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造