[发明专利]用于以厚度降低的有源层形成应变晶体管的结构应变基板

权利要求书

1.一种方法，包括：

在基板上方设置含硅半导体层，该含硅半导体层具有内部双轴应变；

在该含硅半导体层中形成隔离沟槽；

降低该含硅半导体层的厚度；以及

使用绝缘材料填充该隔离沟槽。

2.如权利要求1所述的方法，其中，在形成该隔离沟槽后降低该含硅半导体层的厚度。

3.如权利要求1所述的方法，在降低该含硅半导体层的厚度之前，还包括使用牺牲材料填充该隔离沟槽。

4.如权利要求3所述的方法，其中，降低该含硅半导体层的厚度包括在该牺牲材料存在的情况下氧化该含硅半导体层的其中一部分以及移除该氧化部分。

5.如权利要求4所述的方法，其中，通过执行选择性蚀刻工艺移除该氧化部分。

6.如权利要求1所述的方法，其中，使用绝缘材料填充该隔离沟槽包括沉积第一介电层，在该第一介电层上沉积第二介电层，以及执行平坦化工艺以自该第一介电层上方移除该第二介电层。

7.如权利要求1所述的方法，其中，该隔离结构延伸至嵌埋绝缘层。

8.如权利要求1所述的方法，还包括在由该隔离沟槽定义的工作区中及上方形成一个或多个晶体管元件。

9.如权利要求8所述的方法，在形成该一个或多个晶体管时，还包括提供至少另一应变诱导机制，以局部性改变该工作区中的应变。

10.如权利要求9所述的方法，其中，提供至少另一应变诱导机制包括在该一个或多个晶体管上方形成应变诱导介电层。

11.如权利要求8所述的方法，其中，填充该隔离沟槽以在该工作区中诱发应变分量。

12.一种方法，包括：

在应变含硅层中形成隔离沟槽，从而在该应变含硅层中定义工作区；

形成该隔离沟槽后移除该工作区中应变降低的部分；以及

在该工作区中及上方形成晶体管。

13.如权利要求12所述的方法，其中，移除该工作区中应变降低的该部分包括氧化该工作区的其中一部分以及移除该氧化部分。

14.如权利要求13所述的方法，在氧化该工作区的该部分之前，还包括使用牺牲材料填充该隔离沟槽。

15.如权利要求14所述的方法，在移除该氧化部分时，还包括移除该牺牲材料的至少其中一部分。

16.如权利要求12所述的方法，在移除该工作区中应变降低的材料后，还包括使用绝缘材料填充该隔离沟槽。

17.如权利要求16所述的方法，其中，使用绝缘材料填充该隔离沟槽包括沉积第一介电层和第二介电层，其中，该第二介电层完全填充该隔离沟槽。

18.如权利要求17所述的方法，还包括使用该第一介电层作为停止层以执行化学机械平坦化工艺，从而移除该第二介电层的多余材料。

19.如权利要求16所述的方法，其中，填充该隔离沟槽以在该工作区中诱发应变分量。

20.一种形成应变晶体管器件的基板的方法，该方法包括：

提供基板，其包括具有双轴应变的半导体层，该半导体层具有初始厚度；以及

降低该半导体层的至少其中一部分中的该初始厚度，以针对因在加工该半导体层形成沟槽隔离结构从而提供多个工作区时引起的应变松弛效果调整应变水平。

21.如权利要求20所述的方法，还包括图案化该半导体层以形成该沟槽隔离结构的隔离沟槽，其中，在降低该初始厚度之前图案化该半导体层。

22.如权利要求20所述的方法，其中，在加工该半导体层之前降低该初始厚度。

23.如权利要求20所述的方法，其中，降低该半导体层的至少其中一部分的该初始厚度包括在第一部分中选择性降低该初始厚度，同时大致保持该半导体层的第二部分中的该初始厚度。

24.如权利要求20所述的方法，其中，该双轴应变为拉伸应变。

25.如权利要求20所述的方法，其中，该半导体层设于绝缘材料上。