[发明专利]晶体管内与先进的硅化物形成结合的凹槽式漏极和源极区

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在半导体材料内形成的第一晶体管的漏极和源极区，相较于该第一晶体管的栅极绝缘层的表面定义的高度水平，该漏极和源极区有一凹槽式表面部分置于较低的高度水平；

该栅极绝缘层上形成的栅电极，该栅电极包含该栅极绝缘层上形成的掺硅材料和该掺硅材料上形成的金属硅化物材料；

间隔结构，具有较该栅电极的高度更高的高度；以及

形成于该漏极和源极区内的金属硅化物区域。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其还包括包含漏极和源极区的第二晶体管，该漏极和源极区包含应变诱导半导体合金。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中，该第二晶体管的该漏极和源极区的表面相对于该第一晶体管的该漏极和源极区的该凹槽式表面部分置于较高的高度水平。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中，相对于该第二晶体管的栅极绝缘层，该第二晶体管的该漏极和源极区的该表面非凹槽式。

5.如权利要求1所述的半导体器件，还包括形成于该第一晶体管的该漏极和源极区上面的第一应变诱导介电层，其中，该第一应变诱导介电层在该第一晶体管的沟道区域诱导应变。

6.如权利要求5所述的半导体器件，还包括形成于该第二晶体管的该漏极和源极区上面的第二应变诱导介电层，其中，该第一和第二应变诱导介电层诱导不同类型的应变。

7.如权利要求2所述的半导体器件，其中，该第一晶体管是N沟道晶体管，而该第二晶体管是P沟道晶体管。

8.一种方法，包括：

于晶体管的栅电极的侧壁上形成间隔结构；

将该晶体管的漏极和源极区和该栅电极暴露于蚀刻环境，以至少从该栅电极选择性地移除材料至该间隔结构；

移除该材料后，于该漏极和源极区和该栅电极中形成金属硅化物材料；以及

于該栅电极和漏极和該源极区上面形成应变诱导层。

9.如权利要求8所述的方法，其中，将漏极和源极区和该栅电极暴露于该蚀刻环境还包括移除该漏极和源极区的材料，以形成凹槽式漏极和源极配置。

10.如权利要求8所述的方法，其中，将漏极和源极区和该栅电极暴露于该蚀刻环境还包括于等离子环境的基础上建立该蚀刻环境。

11.如权利要求8所述的方法，其中，将漏极和源极区和该栅电极暴露于该蚀刻环境还包括于湿式化学配方的基础上建立该蚀刻环境。

12.如权利要求11所述的方法，其中，该湿式化学蚀刻配方包含氢氧化四甲基铵。

13.如权利要求12所述的方法，还包括使用不同的蚀刻配方，进行至少一个进一步蚀刻工艺。

14.如权利要求8所述的方法，还包括形成该间隔结构之前，于第二晶体管的漏极和源极区形成半导体合金。

15.如权利要求14所述的方法，其中，将该第一晶体管的该漏极和源极区和该栅电极与该第二晶体管的漏极和源极区和该栅电极暴露于该蚀刻环境后，形成该半导体合金，该半导体合金带有多余的高度，以确定该第二晶体管漏极和源极区的目标高度水平。

16.如权利要求15所述的方法，其中，该目标高度水平对应于实质非凹槽式漏极和源极配置。

17.如权利要求8所述的方法，还包括于该栅电极结构和该漏极和源极区上面形成应变诱导电介质层。

18.如权利要求8所述的方法，其中，形成该金属硅化物，以不延伸到该栅电极结构的栅极绝缘层。

19.一种方法，包括：

执行蚀刻工艺，以从第一晶体管的第一栅电极和第二晶体管的第二栅电极和该第一和第二晶体管的至少之一的漏极和源极区移除材料，但通过间隔结构保护该第一和第二栅电极的侧壁；以及

在该间隔结构的存在下，在该第一和第二闸电极和该漏极和源极区中形成金属硅化物，该金属硅化物在该第一和第二闸电极的掺硅材料中终止。

20.如权利要求19所述的方法，其中，该蚀刻工艺是在等离子环境的基础上进行。

21.如权利要求19所述的方法，其中进行该蚀刻工艺包括进行湿式化学蚀刻工艺。