[发明专利]在自旋转移力矩磁阻随机存取存储器中加电期间的数据保护

权利要求书

1.一种自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)阵列，其包含：

多个位单元，其各自耦合到多个位线及字线中的一者；

加电控制器，其经配置以在加电期间提供加电控制信号以控制所述位线或所述字线中的至少一者的电压电平；

第一多个预充电晶体管，其分别耦合到所述多个位线或所述多个字线中的至少一者，每一预充电晶体管经配置以基于所述加电控制信号而将对应的位线或字线放电到所要电压电平。

2.根据权利要求1所述的STT-MRAM阵列，其中所述所要电压电平小于所述位单元的写入阈值。

3.根据权利要求1所述的STT-MRAM阵列，其中所述所要电压电平为接地电压电平。

4.根据权利要求1所述的STT-MRAM阵列，其中所述加电控制信号耦合到每一预充电晶体管的栅极。

5.根据权利要求1所述的STT-MRAM阵列，其进一步包含：

第二多个预充电晶体管，其分别耦合到所述多个位线及所述多个字线中的另一者，每一预充电晶体管经配置以基于所述加电控制信号而将对应的位线或字线放电到所要电压电平。

6.根据权利要求5所述的STT-MRAM阵列，其中所述所要电压电平小于所述位单元的写入阈值。

7.根据权利要求5所述的STT-MRAM阵列，其中所述所要电压电平为接地电压电平。

8.根据权利要求5所述的STT-MRAM阵列，其中所述加电控制信号耦合到每一预充电晶体管的所述栅极。

9.根据权利要求1所述的STT-MRAM阵列，其中每一位单元包含：

存储元件；以及

字线晶体管，其耦合到所述存储元件。

10.根据权利要求9所述的STT-MRAM阵列，其中所述存储组件为磁性隧道结(MTJ)，且其中所述字线晶体管与所述MTJ串联耦合。

11.根据权利要求1所述的STT-MRAM阵列，其中所述加电控制器经配置以基于从系统控制器接收到的加电信息而提供所述加电控制信号持续一时间量。

12.根据权利要求1所述的STT-MRAM阵列，其中所述加电控制器经配置以提供所述加电控制信号持续一预定时间量。

13.一种在自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)阵列的加电期间保护数据的方法，其包含：

在加电期间向第一多个预充电晶体管提供加电控制信号；以及

响应于所述加电控制信号而将多个位线或多个字线中的至少一者保持到所要电压电平。

14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包含：

响应于所述加电控制信号而将所述多个位线及所述多个字线中的另一者保持到所述所要电压电平。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述所要电压电平小于位单元的写入阈值。

16.根据权利要求13所述的方法，其中所述所要电压电平为接地电压电平。

17.根据权利要求13所述的方法，其进一步包含：

从系统控制器接收加电信息；以及

基于所述所接收到的加电信息在一时间量之后去活所述加电控制信号。

18.根据权利要求13所述的方法，其进一步包含：

在一预定时间量之后去活所述加电控制信号。

19.一种用于在自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)阵列的加电期间保护数据的设备，其包含：

用于在加电期间向第一多个预充电晶体管提供加电控制信号的装置；以及

用于响应于所述加电控制信号而将多个位线或多个字线中的至少一者保持到所要电压电平的装置。

20.根据权利要求19所述的设备，其进一步包含：

用于响应于所述加电控制信号而将所述多个位线及所述多个字线中的另一者保持到所述所要电压电平的装置。

21.根据权利要求19所述的设备，其中所述所要电压电平小于位单元的写入阈值。

22.根据权利要求19所述的设备，其中所述所要电压电平为接地电压电平。