[发明专利]研磨用组合物和半导体集成电路装置的制造方法

权利要求书

1.一种研磨用组合物，其在对隔着阻挡层设置于绝缘层上的铜层进行研磨从而交替形成铜埋设布线和绝缘层的图案形成中，在进行研磨直至邻接于所述铜层的所述阻挡层露出的工序中使用，其中

所述研磨用组合物含有：

脂环族树脂酸，

胶体二氧化硅，其在研磨用组合物中的含量为0.1～1.5质量％，并且平均初级粒径为10～40nm，平均次级粒径为30～80nm，并且平均次级粒径×含量处于10～40的范围内，和

四甲基铵离子。

2.如权利要求1所述的研磨用组合物，还含有钾离子。

3.如权利要求1或2所述的研磨用组合物，其中，四甲基铵离子在研磨用组合物中的含量以氢氧化四甲基铵换算为0.1～1.4质量％。

4.如权利要求2或3所述的研磨用组合物，其中，钾离子在研磨用组合物中的含量以氢氧化钾换算为0.6质量％以下。

5.如权利要求2～4中任一项所述的研磨用组合物，其中，四甲基铵离子/钾离子的比以氢氧化四甲基铵/氢氧化钾换算的质量比计为0.3以上。

6.如权利要求1～5中任一项所述的研磨用组合物，其中，所述脂环族树脂酸为松香。

7.如权利要求1～6中任一项所述的研磨用组合物，还含有氧化剂。

8.如权利要求1～7中任一项所述的研磨用组合物，还含有络合物形成剂。

9.一种半导体集成电路装置的制造方法，其中，

该半导体集成电路装置具备具有沟槽的绝缘层和形成于该沟槽中的铜埋设布线，且

所述制造方法包括使用权利要求1～8中任一项所述的研磨用组合物，对在该绝缘层上依次形成有阻挡层和铜层的该半导体集成电路装置用的多层结构体进行研磨，直至邻接于所述铜层的所述阻挡层露出。

10.如权利要求9所述的半导体集成电路装置的制造方法，其中，所述阻挡层含有选自由Ta、TaN、Ti、TiN和Ru组成的组中的至少一种。

11.如权利要求9或10所述的半导体集成电路装置的制造方法，其中，所述多层结构体在所述绝缘层和所述阻挡层之间具备帽层。

12.如权利要求9～11中任一项所述的半导体集成电路装置的制造方法，其中，所述具有沟槽的绝缘层为二氧化硅膜或具有3以下的相对介电常数的膜。