[发明专利]等离子体蚀刻方法以及等离子体蚀刻装置

权利要求书

1.一种等离子体蚀刻方法，其使用了等离子体蚀刻装置，该等离子体蚀刻装置具备有：

处理容器，其顶部被开口，且内部能够被真空排气；

载置台，其载置被设置在上述处理容器内的被处理体；

微波透过板，其由透过微波的电介质制成，并被气密地安装在上述顶部的开口；

微波供给单元，其由微波发生装置、模式变换器、同轴波导管、导电体框体、狭缝板和电介质板构成，该微波发生装置用于产生规定频率的微波；该模式变换器经由矩形波导管和匹配回路与上述微波发生装置连接，用于将上述产生的微波变换成规定的振动模式；该同轴波导管用于传播上述规定的振动模式的微波；该导电体框体与上述同轴波导管的外部导体连接；该狭缝板由具有多个贯通孔的导电体构成，并被设置在上述微波透过板的上面，该狭缝板的中心部与上述同轴波导管的中心导体连接；该电介质板被设置在上述狭缝板和上述框体之间；

气体供给单元，其向上述处理容器内供给处理气体；

排气单元，其将上述处理容器内保持在规定的压力；

偏置电力供给单元，其向上述载置台供给交流偏置电力；和

偏置电力控制单元，其控制上述交流偏置电力，

在该等离子体蚀刻方法中，通过上述偏置电力控制单元以下述方式对上述交流偏置电力进行控制：交替地重复上述交流偏置电力向上述载置台的供给和停止，使得供给上述交流偏置电力的期间与供给上述交流偏置电力的期间和停止上述交流偏置电力的期间的合计期间之比为0.1以上0.5以下。

2.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，

上述偏置电力控制单元交替地重复上述交流偏置电力的供给和停止的重复频率是1Hz以上200Hz以下。

3.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，

上述处理容器内的压力在40mTorr以上。

4.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，

上述处理容器内的压力在70mTorr以上。

5.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，

上述处理气体包含有蚀刻气体以及等离子体气体，向上述处理容器内供给上述蚀刻气体的流量在600sccm以下，向上述处理容器内供给上述等离子体气体的流量在1700sccm以下。

6.一种等离子体蚀刻装置，具备有：

处理容器，其顶部被开口，且内部能够被真空排气；

载置台，其载置被设置在上述处理容器内的被处理体；

微波透过板，其由透过微波的电介质制成，并被气密地安装在上述顶部的开口；

微波供给单元，其由微波发生装置、模式变换器、同轴波导管、导电体框体、狭缝板和电介质板构成，该微波发生装置用于产生规定频率的微波；该模式变换器经由矩形波导管和匹配回路与上述微波发生装置连接，用于将上述产生的微波变换成规定的振动模式；该同轴波导管用于传播上述规定的振动模式的微波；该导电体框体与上述同轴波导管的外部导体连接；该狭缝板由具有多个贯通孔的导电体构成，并被设置在上述微波透过板的上面，该狭缝板的中心部与上述同轴波导管的中心导体连接；该电介质板被设置在上述狭缝板和上述框体之间；

气体供给单元，其向上述处理容器内供给处理气体；

排气单元，其将上述处理容器内保持在规定的压力；

偏置电力供给单元，其向上述载置台供给交流偏置电力；和

偏置电力控制单元，其控制上述交流偏置电力，

在该等离子体蚀刻装置中，上述偏置电力控制单元以下述方式对上述交流偏置电力进行控制：交替地重复进行上述交流偏置电力向上述载置台的供给和停止，使得供给上述交流偏置电力的期间与供给上述交流偏置电力的期间和停止上述交流偏置电力的期间的合计期间之比为0.1以上0.5以下。

7.根据权利要求6所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于，

上述偏置电力控制单元交替地重复上述交流偏置电力的供给和停止的重复频率是1Hz以上200Hz以下。

8.根据权利要求6所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于，

上述处理容器内的压力在40mTorr以上。

9.根据权利要求6所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于，

上述处理容器内的压力在70mTorr以上。