[发明专利]具有高发射率涂层的大型真空腔室主体的电子束熔接

权利要求书

1.一种腔室主体，其包含多个部件，所述多个部件耦接在一起以共同形成具有含四个弯处的一内部表面的该腔室主体，该腔室主体包含：

一第一部件，包含：

一第一部分及延伸通过该第一部分的一第一开口，该第一部分具有大于一第一宽度的一第一长度；

一第一凸缘，其在与该第一宽度实质垂直的一方向上自该第一部分延伸一第一距离，该第一凸缘自该四个弯处中的一第一弯处延伸；以及

一第二凸缘，其在与该第一宽度实质垂直的一方向上自该第一部分延伸一第二距离，该第二凸缘自该四个弯处中的一第二弯处延伸；

一第二部件，其耦接至该第一凸缘并在与该第一宽度实质垂直的一方向上延伸；

一第三部件，其耦接至该第二凸缘并在与该第一宽度实质垂直且与该第二部件平行的一方向上延伸；以及

一第四部件，其耦接至该第二部件与该第三部件，该第四部件包含：

一第二部分及延伸通过该第二部分的一第二开口，该第二部分具有大于一第二宽度的一第二长度；

一第三凸缘，其在与该第二宽度实质垂直的一方向上自该第二部分延伸一第三距离；以及

一第四凸缘，其在与该第二宽度实质垂直的一方向上自该第二部分延伸一第四距离。

2.根据权利要求1所述的腔室主体，其中该第一凸缘具有小于该第一宽度的一宽度，且该第一凸缘的该宽度与该第二部件的一宽度实质相等，且其中该四个弯处中至少一个弯处经磨圆。

3.根据权利要求2所述的腔室主体，更包含：

一第一平板，其耦接至该第一部件、该第二部件、该第三部件与该第四部件；

一第二平板，其耦接至该第一部件、该第二部件、该第三部件与该第四部件，使得该第一平板、该第二平板、该第一部件、该第二部件、该第三部件与该第四部件共同围绕一腔室空间；以及

一涂层，其配置在该第一平板与该第二平板中至少一个上，该涂层具有的发射率高于该第一部件、该第二部件、该第三部件与该第四部件中至少其一的该发射率。

4.根据权利要求3所述的腔室主体，其中该涂层具有于摄氏599度测得为大于0.19的发射率、以及低于约4％的反射率，且其中该涂层包含铝。

5.一种用于制造一腔室主体的方法，该腔室主体具有一外部表面以及具有多个弯处的一内部表面，该方法包含以下步骤：

放置一第一部件于与一第二部件相邻处，该第一部件包含：

一第一部分，其具有一第一长度与小于该第一长度的一第一宽度；以及

一第一凸缘，其在与该第一宽度实质垂直的一方向上自该第一部分延伸一第一距离，使得该第一凸缘与该第一部分接触在所述多个弯处中的一第一弯处，该第一凸缘与该第二部件相隔一间隙；

辐照一电子束至该间隙中；以及

将该第二部件熔接至该第一凸缘。

6.根据权利要求5所述的方法，其中该第一凸缘与该第一部分包含一单一结构，且其中该电子束自该外部表面辐照至该间隙中。

7.根据权利要求6所述的方法，更包含以下步骤：自该第一部件移除一第一部分材料以限定该第一凸缘。

8.一种腔室，其包含：

一顶部平板；

一底部平板，其相对于该顶部平板而配置；

一第一侧部平板，其耦接至该顶部平板与该底部平板；

一第二侧部平板，其耦接至该顶部平板与该底部平板，且相对于该第一侧部平板而配置；

一第一狭缝阀平板，其耦接至该顶部平板、该底部平板、该第一侧部平板与该第二侧部平板，且具有通过该第一狭缝阀平板的一开口；

一第二狭缝阀平板，其耦接至该顶部平板、该底部平板、该第一侧部平板与该第二侧部平板，该第二狭缝阀平板相对于该第一狭缝阀平板而配置且具有通过该第二狭缝阀平板的一开口，该顶部平板、该底部平板、该第一与第二侧部平板、以及该第一与第二狭缝阀平板共同围绕一腔室空间；以及

一涂层，其配置在该顶部平板与该底部平板中至少一个上，该涂层具有在摄氏599度测得为大于0.19的一第一发射率。

9.根据权利要求8所述的腔室，其中该第一发射率与该第一侧部平板、该第二侧部平板、该第一狭缝阀平板与该第二狭缝阀平板中至少一个的发射率不同。

10.根据权利要求9所述的腔室，其中该底部平板上具有一涂层，该涂层具有在摄氏599度测得为大于0.19的发射率。