[发明专利]具有高发射率涂层的大型真空腔室主体的电子束熔接

说明书

发明背景

发明领域

此揭露的实施方式一般涉及具有高发射率涂层以增加来自进入基板的热传递的大型真空腔室主体，以及经电子束熔接在一起的大面积真空腔室主体。

相关技术的描述

为将基板从大气环境带入真空环境，基板会通过一晶片承载腔室(load lock chamber)；为了避免基本压力改变，在从处理系统外部将基板置入晶片承载腔室时，最好是使晶片承载腔室通至大气，并在基板置于其中后排空。在处理之前会通过晶片承载腔室的基板包括有半导体晶片、平板型显示器基板、太阳能板基板、以及有机发光显示器基板。

基板产量永远是一项考虑，业界总是在寻求增加基板产量并减少设施停工期的方式，如能越快处理基板，则每一小时即可处理更多的基板。对基板进行的处理会影响基板的产量，而处理之间所发生的事件也会影响基板的产量；举例而言，将基板置于腔室中所耗费的时间量会影响基板的产量。因此，连晶片承载腔室都会影响基板产量，因为上述晶片承载腔室保持在真空状态以避免基本压力改变。然而，当基板置入晶片承载腔室时，晶片承载腔室也会与大气交界；因此，晶片承载腔室也会花费时间而从真空状态变为排空状态。故，晶片承载腔室会影响基板产量。

因此，本领域中需要一种可增加基板产量的晶片承载腔室。

发明概要

本发明所述的实施方式与一种已经熔接在一起的大型真空腔室主体有关，该腔室主体在其中的至少一表面上具有一高发射率涂层。由于是大型尺寸的腔室主体，腔室主体可通过将数个部件熔接在一起而形成，而非以单一金属部件来锻造该主体。这些部件在与该主体的弯处相隔的一位置处熔接在一起，该位置在排空期间处于最大应力处，以确保可能是主体中最弱点的熔接不会失效。该腔室主体的至少一表面可涂覆有一高发射率涂层以助于来自进入的受热基板的热传递。该高发射率涂层可藉由减少降低基板温度所需时间而增加基板产量。

在一实施方式中，揭露了一种晶片承载腔室主体；该腔室主体包含多个部件，该多个部件耦接在一起以共同形成该腔室主体，其具有含四个弯处的一内部表面。该腔室主体另包含一第一部件、一第二部件、一第三部件与一第四部件。该第一部件包含：一第一部分及延伸通过该第一部分的一第一开口，该第一部分具有大于一第一宽度的一第一长度，以及包含一第一凸缘，该第一凸缘在与该第一宽度实质垂直的方向上自该第一部分延伸一第一距离。该第一凸缘自该四个弯处中的一第一弯处延伸。该第一部件也包括一第二凸缘，该第二凸缘在与该第一宽度实质垂直的方向上自该第一部分延伸一第二距离，该第二凸缘自该四个弯处中的一第二弯处延伸。该第二部件耦接至该第一凸缘并在与该第一宽度实质垂直的方向上延伸。该第三部件耦接至该第二凸缘并在与该第一宽度实质垂直且与该第二部件平行的方向上延伸。该第四部件耦接至该第二部件与该第三部件。该第四部件包含：一第二部分及延伸通过该第二部分的一第二开口，该第二部分具有大于一第二宽度的一第二长度；也包含一第三凸缘，该第三凸缘在与该第二宽度实质垂直的方向上自该第二部分延伸一第三距离。该第四部件另包含一第四凸缘，该第四凸缘在与该第二宽度实质垂直的方向上自该第二部分延伸一第四距离。

在另一实施方式中，揭露了一种用于制造一承载腔室主体的方法，该承载腔室主体具有一外部表面以及含多个弯处的一内部表面，该方法包含：放置一第一部件相邻于一第二部件且以一间隙相隔开、辐照一电子束至该间隙中、以及将该第二部件熔接至该第一凸缘。该第一部件包含一第一部分，其具有一第一长度与小于该第一长度的一第一宽度。该第一部件亦包含一第一凸缘，其在与该第一宽度实质垂直的方向上自该第一部分延伸一第一距离，使得该第一凸缘与该第一部分在所述多个弯处中的一第一弯处处接触。该第一凸缘与该第二部件相隔一间隙。