[发明专利]具有在分别的接合衬底上形成的沟道、电极及半导体的电子器件

权利要求书

1.一种器件，包括：

第一构件，其包括：

第一衬底，其包括第一可层叠材料并定义用于接收流体的流体沟道，以及

第一和第二电极，其形成在所述第一衬底上并被所述流体沟道分隔开，所述第一和第二电极均包括导电结构；以及

第二构件，其包括：

第二衬底，其包括第二可层叠材料，以及

半导体，其形成在所述第二衬底上且包括具有可调制电性质的结构；

其中，所述第二构件接合到所述第一构件，所述半导体跨过所述流体沟道桥接所述第一和第二电极，且所述半导体的所述结构靠近所述流体沟道，以便允许在所述流体沟道中接收的所述流体靠近所述半导体的所述结构以用于调制通过所述半导体的所述第一和第二电极之间的电阻。

2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述半导体包括Si、Ge、ZnO、CuO、TiO₂、SnO₂、石墨烯、含碳材料、有机半导体或无机半导体。

3.如权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述半导体以及所述第一和第二电极的至少一个包括管、线、薄片、膜、或颗粒。

4.如权利要求1至3的任一项所述的器件，其特征在于，所述半导体实质上包含一个或多个单壁碳纳米管。

5.如权利要求1至4的任一项所述的器件，其特征在于，所述第一和第二电极均实质上包含一个或多个碳纳米管。

6.如权利要求1至5的任一项所述的器件，其特征在于，所述第一和第二衬底均包括聚二甲基硅氧烷、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚环氧化物、有机衬底、玻璃或陶瓷衬底、金属衬底或箔。

7.如权利要求6所述的器件，其特征在于，所述第一和第二衬底均实质上包含聚二甲基硅氧烷。

8.如权利要求1至7的任一项所述的器件，其特征在于，包括在所述第一衬底上形成的用于向在所述流体沟道中接收的电解质施加调制电压的第三电极。

9.如权利要求1至8的任一项所述的器件，其特征在于，包括置于所述流体沟道中的电解质，所述电解质包括液体、凝胶体、或固体。

10.如权利要求1至9的任一项所述的器件，其特征在于，所述第二构件包括邻近所述半导体的固体电解质以及用于向所述固体电解质施加调制电压的栅电极。

11.如权利要求1至10的任一项所述的器件，其特征在于，所述第一和第二衬底均包括金属涂层或陶瓷或玻璃纳米颗粒，所述金属涂层或陶瓷或玻璃纳米颗粒提供阻碍水分进入所述器件的屏障。

12.一种用于形成电子器件的工序，包括：

提供第一构件，所述第一构件包括第一衬底以及在所述第一衬底上形成的第一和第二电极，所述第一衬底定义用于接收流体的流体沟道，所述第一和第二电极被所述流体沟道分隔开；

提供第二构件，所述第二构件包括第二衬底和在所述第二衬底上形成的半导体，所述半导体具有可调制电性质；以及

将所述第一构件接合到所述第二构件，其中所述半导体跨过所述流体沟道桥接所述第一和第二电极，所述半导体靠近所述流体沟道，从而允许所述半导体的电性质由所述流体沟道中的所述流体的存在而被调制。

13.如权利要求12所述的工序，其特征在于，所述半导体包括纳米结构或微米结构。

14.如权利要求12或13所述的工序，其特征在于，所述半导体以及所述第一和第二电极的至少一个包括管、线、薄片、膜、或颗粒。

15.如权利要求12至14的任一项所述的工序，其特征在于，所述半导体包括Si、Ge、ZnO、CuO、TiO₂、SnO₂、石墨烯、含碳材料、有机半导体或无机半导体。

16.如权利要求12至15的任一项所述的工序，其特征在于，所述半导体以及所述第一和第二电极实质上均包含一个或多个碳纳米管。

17.如权利要求12至16的任一项所述的工序，其特征在于，所述第一和第二衬底的至少一个包括聚二甲基硅氧烷、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚环氧化物、有机衬底、玻璃或陶瓷衬底、金属衬底或箔。