[发明专利]整合电容器的遮蔽

说明书

技术领域

本发明是关于形成于集成电路中(integrated circuit，IC)的电容器，通称为整合电容器。

背景技术

制造IC的方法典型包括：一前端处理顺序，其中，诸如晶体管的种种的电气元件形成于一半导体基板；及，一后端处理顺序，概括包括形成具有传导通路(via)的介电材料与图案化(patterned)传导材料(典型为金属)的交替层或使用其他技术以互连金属层来形成一种三维的接线结构，其连接电气元件至其他电气元件及IC的端子。

电容器为了种种目的而用于IC系统。于多个实例，纳入(整合)一电容器于IC芯片是期待的。一种简单的方式是形成具有一介于中间的介电质的二个传导平板；然而，此针对于取得的电容而消耗相当大的面积。用于增大一既定面积的电容的一种技术运用多个传导平板，各个传导平板与邻近的平板由介电质所分开。另外的技术运用传导板条(strip)，亦称为传导线条(line)、传导指部(finger)或传导线迹(trace)，其交替地连接至第一与第二电容器端子(节点)。于传导板条之间耦合的侧壁提供电容。以垂直一致性排列或配置的传导板条层可附加以进而增大一种整合电容器结构的电容。

一种电容器具有连接至第一节点之于连续层的若干个传导板条且与连接至整合电容器的第二节点的相等数目个传导板条交替。该传导板条是于连续层上偏置了半个单元，使得连接至第一节点的一传导板条具有于其上方且二侧的连接至第二节点的传导板条。提供针对于各个节点之于一层的相等数目个传导板条是与至基板的各个节点的耦合平衡，此是期望于一些应用中，但为不期望于其他者，诸如：切换式应用，其中，于一个节点处具有较小的耦合是期望的。为了降低对于基板的耦合，一厚的二氧化硅层是用于基板与第一层的传导板条之间。此可能难以整合于一种标准CMOS制造顺序且可能需要另外的步骤以附加至标准处理流程。重迭的平行传导板条运用汇流板条而连接在其末端，汇流板条消耗额外的表面积。

提供一种整合电容器的另一个方式是具有连接至该电容器的交替节点之于一层的传导板条及连接至相同节点的重迭传导板条。此本质为形成连接至该电容器的第一节点的一帘幕(curtain)的传导板条与互连通路及连接至第二节点的相邻帘幕的传导板条与互连通路。连接至该相同节点的重迭传导板条避免关联于汇流板条的丧失的表面积；然而，层间的电容是降低，因为上方板条如同下方板条而连接至相同节点。此效应是稍微排除，因为随着临界尺寸缩小，板条间的电容相较于层间的电容而成为较为强势。换言之，于连续金属层之间的介电层分离随着减小临界尺寸而成为愈来愈大于传导板条之间的介电分离。

现在常用的整合电容器经常容易受到电子噪声的影响，电子噪声可影响IC的性能。于一些应用，诸如：一滤波电容器应用，其中，电容器节点的一者(典型为底部节点)连接至接地或至一电源供应器电压，某个程度的噪声经常为可容许。然而，于其他应用，诸如：当该电容器为运用于一讯号路径(即：作为一耦合电容器或切换电容器)，噪声耦合将严重使得电路性能降级。耦合于一电容器的噪声特别在当极低的模拟电压透过该电容器所耦合而有问题，尤其是于一种芯片的系统，其相较于其他型式的IC(诸如：一存储器芯片)而经常产生较多的电气噪声。因此，针对于一IC的所用的低噪声应用，提供较佳的噪声免除性的整合电容器是期望的。

发明内容

一种于集成电路(integrated circuit，IC)中的电容器包括：一核心(core)电容器部分，具有形成于IC的一第一传导层的电气连接且形成该电容器的一第一节点的部分者的一第一复数个传导元件，以及形成于第一传导层的电气连接且形成该电容器的一第二节点的部分者的一第二复数个传导元件。第一复数个传导元件与第二复数个传导元件是于第一传导层交替。电气连接且形成第一节点的部分者的一第三复数个传导元件形成于相邻于第一传导层的一第二传导层，第二复数个传导元件的至少一些部分重迭且垂直地耦接至第三复数个传导元件的至少一些部分。该种电容器亦包括：一遮蔽电容器部分，具有一第四复数个传导元件，其形成于至少该IC的第一传导层、该IC的第二传导层、该IC的一第三传导层与一第四传导层。第一与第二传导层是于第三与第四传导层之间。遮蔽电容器部分电气连接且形成该电容器的第二节点的二部分者且环绕第一与第三复数个传导元件。

附图说明

图1运用根据本发明实施例的电容器的一种电路的电路图；

图2A适用于本发明实施例的一种遮蔽式整合电容器的一部分的等角视图；

图2B是根据图2A的一种整合电容器220的侧视图；