[发明专利]制造衬底的方法有效
申请号: | 200980148548.8 | 申请日: | 2009-11-11 |
公开(公告)号: | CN102239540A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 斯科特·西里斯;古尔特杰·S·桑胡;安东·德维利耶 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 衬底 方法 | ||
1.一种制造衬底的方法,其包含:
在衬底上形成隔开第一特征;
在所述隔开第一特征的侧壁上形成各向异性蚀刻隔片;
从所述衬底移除所述隔开第一特征且形成包含所述隔片的隔开第二特征;
在所述隔开第二特征上沉积第一材料,所述第一材料具有不同于所述隔开第二特征的组合物的某组合物,所述第一材料具有非平面最外表面;
在所述第一材料上沉积第二材料,所述第二材料具有不同于所述第一材料的组合物且不同于所述隔开第二特征的组合物的某组合物,所述第二材料具有平面最外表面;
移除所述第二材料的仅一部分以暴露所述第一材料且形成收纳于所述第一材料上的隔开第二材料;
在形成所述隔开第二材料之后,从所述隔开第二材料之间蚀刻所述第一材料,且形成包含收纳于第一材料上的隔开第二材料的隔开第三特征,所述第三特征与所述第二特征隔开;及
经由包含所述隔开第二特征及所述隔开第三特征的掩模图案处理所述衬底。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述隔开第一特征包含光致抗蚀剂。
3.根据权利要求1所述的方法,其中形成所述隔开第一特征包含:形成隔开掩模特征,后续接着横向修整所述隔开的掩模特征以减小其相应宽度。
4.根据权利要求3所述的方法,其中所述掩模图案具有为所述隔开掩模特征的间距的约三分之一的间距。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述掩模图案具有所述隔开第一特征的间距的约四分之一的间距。
6.根据权利要求1所述的方法,其包含形成所述掩模图案以包含成对紧邻的隔开第二特征,所述隔开第二特征与所述隔开第三特征中的个别者交替。
7.根据权利要求1所述的方法,其包含形成所述掩模图案以在所述第二特征中的邻近者中的每一者之间具有所述第三特征中的一者。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一特征与所述第一特征的每一邻近者等距隔开,且所述第二特征不与所述第二特征的每一邻近者等距隔开。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述第一材料经沉积以完全填充所述第二特征中的两紧邻者的最接近对之间的空间。
10.根据权利要求8所述的方法,其中所述第一材料经沉积以不完全填充所述第二特征中的两紧邻者的最接近对之间的空间。
11.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一特征与所述第一特征的每一邻近者等距隔开,且所述第二特征与所述第二特征的每一邻近者等距隔开。
12.根据权利要求1所述的方法,其包含在所述第一材料的所述蚀刻之后横向修整所述第三特征的宽度。
13.根据权利要求1所述的方法,其包含将所述第一材料沉积到小于所述第二材料的厚度且小于所述隔开第二特征的最大宽度的最小厚度。
14.根据权利要求1所述的方法,其包含在形成所述第三特征之后,在所述处理之前移除所述第三特征中的仅一些第三特征的全部。
15.一种制造衬底的方法,其包含:
在衬底上形成第一隔开特征及第二隔开特征,所述第一隔开特征具有在组合物上与所述第二隔开特征的高度上最外区域不同的高度上最外区域,所述第一隔开特征及第二隔开特征相互交替;
从所述衬底移除每隔一个第一特征,且形成与所述第一特征中的剩余者中的个别者交替的成对紧邻的第二特征;及
在所述移除之后,经由掩模图案处理所述衬底,所述掩模图案包含与所述第一特征中的所述剩余者中的个别者交替的所述成对紧邻的第二特征。
16.根据权利要求15所述的方法,其中所述第二特征为均质的。
17.根据权利要求15所述的方法,其中所述移除包含蚀刻。
18.根据权利要求17所述的方法,其中在所述蚀刻期间不在所述第一特征中的任一者上收纳蚀刻掩模。
19.根据权利要求15所述的方法,其中所述第一特征包含收纳于不同组合物第一材料上的第二材料。
20.根据权利要求19所述的方法,其中所述第二特征具有与所述第一材料及第二材料的组合物不同的组合物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造