[发明专利]具有接合垫下方的沟槽的特征的RF器件和方法

权利要求书

1.一种电子元件，包括：

半导体(SC)衬底，所述半导体(SC)衬底具有第一热膨胀系数(TEC)以及有源器件区域和接合垫区域；

接合垫，所述接合垫位于所述接合垫区域中；

复合电介质区域，所述复合电介质区域在所述接合垫区域中位于所述接合垫下面，并且包括具有第二TEC的绝缘材料；

所述复合电介质区域内的另一材料的内含物，所述另一材料具有小于所述第二TEC的第三TEC，其中，所述内含物与所述衬底和所述接合垫电隔离；以及

有源器件，位于所述有源器件区域中并且接近所述复合电介质区域，具有通过互连被电耦合到所述接合垫的第一端子。

2.根据权利要求1所述的电子元件，其中，所述衬底包括硅或锗或其组合，并且所述内含物包括硅或锗或其组合的非单晶形式。

3.根据权利要求1所述的电子元件，其中，所述内含物具有在约0.2至5.0微米范围内的宽度。

4.根据权利要求3所述的电子元件，其中，所述内含物具有宽度以及其宽度的约13～16倍的中心线至中心线间距。

5.根据权利要求1所述的电子元件，其中，所述内含物具有在约2至200范围内的纵横比。

6.根据权利要求5所述的电子元件，其中，所述内含物具有在约15至50范围内的纵横比。

7.根据权利要求6所述的电子元件，其中，所述内含物具有在约20至30范围内的纵横比。

8.根据权利要求1所述的电子元件，其中，所述内含物在平面图中包括多个基本上平行的叶片状形状。

9.根据权利要求8所述的电子元件，其中，所述内含物具有在平面图中朝着所述有源器件取向的长尺寸。

10.根据权利要求8所述的电子元件，其中，所述内含物具有在平面图中不朝着所述有源器件取向的长尺寸。

11.根据权利要求1所述的电子元件，其中，所述内含物在平面图中形成基本上同心的形状。

12.根据权利要求1所述的电子元件，其中，所述复合电介质区域位于所述有源器件区域的约20微米或更小内。

13.一种用于形成电子元件的方法，所述电子元件在耦合到有源器件的接合垫下方并入复合电介质区域(CDR)，所述方法包括：

提供具有第一热膨胀系数(TEC)并且具有第一表面的第一材料的半导体衬底，其中，所述衬底在其中具有适用于接纳所述有源器件的第一区域和适用于接纳所述接合垫的第二区域；

在所述第二区域上形成掩膜，所述掩膜具有第一宽度的间隔开的开口；

在所述衬底中将基本上所述第一宽度的间隔开的沟槽蚀刻至第一深度，在所述沟槽与所述沟槽下面的衬底材料的其它部分之间留下基本上未动的衬底材料的柱体；

在所述沟槽中形成具有第二TEC的电介质，使得在所述电介质中存在从所述第一表面延伸到所述沟槽中而不延伸到所述沟槽下面的所述衬底材料的其它部分中的基本上在中心定位的空隙；

用相对于所述衬底电浮的并且具有小于所述第二TEC的第三TEC的内含物材料来填充沟槽，其中，所述电介质和所述电浮内含物材料的组合在其中形成适用于支撑所述接合垫的所述复合电介质区域；

在接近所述复合电介质区域的有源器件区域中形成有源器件，其中，所述有源器件具有第一端子；

与所述内含物材料电隔离地在所述电介质和内含物材料上方在所述复合电介质区域上形成所述接合垫；以及

将所述接合垫电耦合到所述有源器件的所述第一端子。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述内含物材料包括硅或锗或其组合。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一材料包括硅或锗或其组合。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，所述内含物材料具有平面图形状，所述平面图形状包括一个或多个基本上连续平行的多个行或中断的多个基本上平行的行、或多个“L”或“T”状的行、或多个行的X-Y状阵列、或同心矩形、同心圆或同心多边形。