[发明专利]基板和用于制造基板的方法无效
申请号: | 200980149548.X | 申请日: | 2009-12-09 |
公开(公告)号: | CN102246265A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | 增田健良 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;G01V8/12;H01L21/306;H01L21/66 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 孙志湧;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 方法 | ||
1.一种透明基板(1、3、5、8、11、12、15、20),所述基板包括检测区域(2、9、13),所述检测区域形成在所述基板(1、3、5、8、11、12、15、20)的端部的至少一部分中,并且所述检测区域具有比所述基板(1、3、5、8、11、12、15、20)的中部中的光的透射率低的所述光的透射率。
2.根据权利要求1所述的基板,其中
所述检测区域(2、9、13)包括全反射面(2),所述全反射面(2)用于将入射到所述检测区域(2、9、13)上的所述光全反射。
3.根据权利要求1所述的基板,其中
所述检测区域(2、9、13)包括漫反射面(9),所述漫反射面(9)用于将入射到所述检测区域(2、9、13)上的所述光漫反射。
4.根据权利要求1所述的基板,其中
所述基板(1、3、5、8、11、12、15、20)包括从由SiC、GaN、蓝宝石、AlN和金刚石组成的组中选择的至少一种。
5.一种制造基板的方法,包括如下步骤:
准备透明基板(1、3、5、8、11、12、15、20)(S10);以及
执行下述加工:该加工即,使所述基板(1、3、5、8、11、12、15、20)的端部的至少一部分中的光的透射率低于所述基板的中部中的所述光的透射率(S20)。
6.根据权利要求5所述的制造基板的方法,其中
执行所述加工(S20)的所述步骤包括形成全反射面(2)的步骤,所述全反射面(2)用于将入射到所述端部的至少一部分上的所述光全反射。
7.根据权利要求6所述的制造基板的方法,其中
形成所述全反射面(2)的所述步骤包括对所述端部的至少一部分进行机械加工的步骤。
8.根据权利要求6所述的制造基板的方法,其中
形成所述全反射面(2)的所述步骤包括对所述端部的至少一部分进行激光加工的步骤。
9.根据权利要求5所述的制造基板的方法,其中
执行所述加工(S20)的所述步骤包括形成漫反射面(9)的步骤,所述漫反射面(9)用于将入射到所述端部的至少一部分上的光漫反射。
10.根据权利要求9所述的制造基板的方法,其中
形成所述漫反射面(9)的所述步骤包括对所述端部的至少一部分进行机械加工的步骤。
11.根据权利要求9所述的制造基板的方法,其中
形成所述漫反射面(9)的所述步骤包括对所述端部的至少一部分进行激光加工的步骤。
12.根据权利要求9所述的制造基板的方法,其中
形成所述漫反射面(9)的所述步骤包括将杂质引入所述端部的至少一部分中的步骤(S21),以及增加被引入了所述杂质的区域的表面的表面粗糙度的步骤(S22、S23)。
13.根据权利要求12所述的制造基板的方法,其中
增加所述表面粗糙度的所述步骤(S22、S23)包括蚀刻所述区域的表面层的步骤(S22),或使所述区域的所述表面层经受热处理的步骤(S23)。
14.根据权利要求9所述的制造基板的方法,其中
形成所述漫反射面(9)的所述步骤包括在所述端部的至少一部分上沉积薄膜(16)的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造