[发明专利]基板和用于制造基板的方法

说明书

技术领域

本发明涉及基板和用于制造基板的方法，更具体来讲，涉及这样的一种基板：该基板即使是在透明的情况下也能通过传感器识别到它的存在，以及制造该基板的方法。

背景技术

当在半导体基板的主表面上形成诸如MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体元件时，半导体元件通常形成在距离半导体基板的周边某一距离(通常，大约5mm)或者更更大距离的主表面上的中部的区域中。本文使用的主表面是指表面之中最大面积的表面。因此，半导体元件没有形成在距离半导体基板周边某一距离内的区域中。这是因为靠近主表面周边，即，端部的区域中形成的半导体元件在电特性等方面的可靠性可能较低。

例如，在没有形成半导体元件的靠近上述半导体基板主表面周边的区域中，即，在端部中，通常形成ID标记。在制造具有形成在半导体基板主表面上的大量半导体元件的半导体器件的步骤中，ID标记用于集成生产控制。即，用于指示每个半导体基板的号码、符号、条形码等可以被布置成半导体基板主表面的端部上的ID码。

例如，传统上使用的ID标记是形成在半导体基板主表面的端部上的多个点(凹陷)。这是通过用激光束照射半导体基板的主表面以部分去除形成半导体基板的材料而形成的，例如，由此布置成组的点以辨识半导体基板主表面端部的区域中的半导体基板。例如，日本专利特许公开No.2004-200635(下文中被称作“专利文献1”)公开了一种半导体晶片，该半导体晶片具有不接触用于执行CMP步骤的抛光布的凹陷，以及形成在凹陷底表面上的点，以防止所形成的点在随后的化学机械抛光步骤中被抛光和平面化，其导致传感器难以识别点的存在。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特许公开No.2004-200635

发明内容

本发明要解决的问题

如专利文献1中所公开的，例如，斜劈面通常被用作基板主表面的端部的形状，其中，端部被加工以变成相对于主表面具有特定倾斜角度的端面，从而抑制碎片。具体来讲，与基板的一个主表面和与所述一个主表面相对的基板的另一个主表面形成规定角度的表面形成在基板的端部，以与两个主表面都相交，从而作为基板的端面。为了例如，抑制由于应力的施加而导致从半导体基板或玻璃基板的端部在沿着晶格的方向上出现裂纹(裂缝)和碎片，除了斜劈之外，例如，基板主表面的端部可以被加工以变成平面端面或球面端面。通过举例，图15是示出基板的倒圆端部的示意图。在图15所示的基板20中，主表面的端部被特别加工成被称作倒圆的弯曲形状。即，将基板20的一个主表面(图15中的上表面)和与所述一个主表面相对的另一个主表面(图15中的下表面)连接的弯曲表面(示出为图15中的左半圆部分的端部)被提供作为基板的端面。

在生产半导体器件的过程中，通常，在用于生产的制造装置中操纵和传递半导体基板的过程中，采用了通过利用传感器识别半导体基板的存在，同时识别半导体基板的ID标记，并且检验该标记，从而来控制半导体基板并执行自动程序的方法。这里，在识别半导体基板的存在的步骤中，通常使用红色或红外LED(发光二极管)或LD(激光二极管)作为光源。这是因为通常用于常规半导体基板的硅(Si)吸收红光或红外光，使得可以很容易地用这些光检测由硅制成的半导体基板。

如图15中所示，例如，红光或红外光从面对基板20(例如，由Si制成的半导体基板)的一个主表面的区域发射到一个主表面(图15中的上表面)。在面对与基板20的所述一个主表面相对的主表面(图15中的下表面)的区域中，提供了光电传感器30，用于识别光10，例如，入射的红光。当不存在基板20时，从如图15所示的基板20的一个主表面上方发射的光10入射到光电传感器30上。当光电传感器30检测到光10时，其可以识别不存在基板20。然而，如果存在由吸收红光或红外光的材料(例如，硅)制成的基板20，则从图15中上方发射的光10大部分被基板20的主表面吸收或反射。因此，与不存在基板20时相比，到达图15中在下方存在的光电传感器30的光10的量变小。简而言之，当与不存在基板20时相比，通过图15中基板20下方存在的光电传感器30接收到光10的强度变低时，光电传感器30可以检测到基板20的存在。