[发明专利]最小化对存储器阵列及支持电路的位干扰及电压耐受要求的用于对N沟道金属氧化物半导体电可擦除可编程只读存储器单元阵列进行编程及擦除的方法

权利要求书

1.一种擦除存储器阵列中的多个存储器段中的选定存储器段的方法，所述存储器阵列包括位于P型衬底内的深N阱中的多个P阱，其中所述多个存储器段中的每一者驻存于所述多个P阱中的相应P阱内，所述方法包括以下步骤：

将所述深N阱设定为约4伏；

将所述多个P阱中的选定P阱设定为约4伏；

将所述多个P阱中的未选P阱设定为约-7伏；

将多个字线中的选定字线设定为约-11伏；

将所述多个字线中的未选字线设定为约零伏；

将所述多个P阱中的所述选定P阱中的第一多个位线设定为约4伏；

将所述多个P阱中的所述未选P阱中的第二多个位线设定为约零伏；

将与所述多个P阱中的所述选定P阱相关联的第一源极选择栅极线设定为约4伏；

将与所述多个P阱中的所述选定P阱相关联的第一源极选择漏极线设定为约4伏；

将与所述多个P阱中的所述未选P阱相关联的第二源极选择栅极线设定为约-7伏；

将与所述多个P阱中的所述未选P阱相关联的第二源极选择漏极线设定为约-7伏；

其中擦除所述多个存储器段中的位于所述多个P阱中的所述选定P阱内且耦合到所述多个字线中的所述选定字线的所述选定存储器段。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个存储器段中的所述选定存储器段包括每字节八个位。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述多个存储器段中的未选存储器段耦合到所述多个字线中的所述未选字线。

4.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其中所述多个存储器段中的所述未选存储器段位于所述多个P阱中的所述未选P阱内。

5.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其中使所述第一多个位线浮动而非设定为约4伏。

6.一种对存储器阵列中的多个存储器段中的选定存储器段进行编程的方法，所述存储器阵列包括位于P型衬底内的深N阱中的多个P阱，其中所述多个存储器段中的每一者驻存于所述多个P阱中的相应P阱内，所述方法包括以下步骤：

将所述深N阱设定为约4伏；

将所述多个P阱中的一者设定为约-11伏；

将所述多个P阱中的其它P阱设定为约-7伏；

将多个字线中的一者设定为约4伏；

将所述多个字线中的其它字线设定为约-7伏；

将多个位线中的至少一者设定为约-11伏；

将所述多个位线中的其它位线设定为约零伏；

将与所述多个P阱中的所述一者相关联的第一源极选择栅极线设定为约-11伏；

将与所述多个P阱中的所述一者相关联的第一源极选择漏极线设定为约-11伏；

将与所述多个P阱中的所述其它P阱相关联的第二源极选择栅极线设定为约-7伏；及

将与所述多个P阱中的所述其它P阱相关联的第二源极选择漏极线设定为约-7伏，

其中对所述多个存储器段中的耦合到所述多个字线中的所述一者及所述多个位线中的所述至少一者的所述选定存储器段进行编程。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述多个存储器段中的选定至少一者的数目包括每字节位的任一正整数。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其中所述多个存储器段中的未选存储器段耦合到所述多个字线中的未选字线。

9.根据前述权利要求6到8中任一权利要求所述的方法，其中所述多个存储器段中的未选存储器段位于所述多个P阱中的未选P阱内。

10.根据前述权利要求6到9中任一权利要求所述的方法，其中所述多个存储器段中的所述选定至少一者包括每字节八个位。