[发明专利]具有结场效应晶体管装置结构的低功率存储器装置

权利要求书

1.一种存储器装置，其包括：

多个存储器单元，所述存储器单元包括：

存储器元件；及

JFET存取装置，其电耦合到所述存储器元件。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器元件为亚20fF电容器。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器元件为亚10fF电容器。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存取装置为增强模式JFET装置。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述增强模式JFET装置不包含栅极氧化物。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器装置经配置以在小于600mV的电压下操作。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器元件形成于所述存取装置上方的层中。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器元件形成于与所述存取装置相同的平面中的沟槽中。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存取装置为JFET凹入式存取装置。

10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存取装置为鳍式JFET存取装置。

11.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存取装置为凹入式存取装置(RAD)-鳍式JFET存取装置。

12.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存取装置为圆柱形存取装置。

13.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存取装置为升高式源极及漏极鳍式存取装置。

14.根据权利要求1所述的存储器装置，其中每一JFET存取装置由基于扩散的隔离物电隔离。

15.根据权利要求14所述的存储器装置，其中所述基于扩散的隔离物包括小型沟槽。

16.根据权利要求15所述的存储器装置，其中所述小型沟槽的深度小于300埃。

17.根据权利要求15所述的存储器装置，其中所述小型沟槽包含具有比安置于其中的硅高的带隙的材料。

18.根据权利要求15所述的存储器装置，其中所述小型沟槽填充有选自包括以下各项的群组的至少一种材料或任一材料组合：碳化硅、热氧化物或带固定电荷的绝缘体。

19.根据权利要求16所述的低功率存储器装置，其中所述小型沟槽填充有带负电荷的Al₂O₃。

20.一种制造DRAM存储器单元的方法，其包括：

形成基于扩散的隔离区；

在由所述基于扩散的隔离区形成的区域中形成沟道区；及

形成与所述沟道区物理接触的栅极。

21.根据权利要求20所述的方法，其中形成基于扩散的隔离区包括：

形成小型沟槽；

用具有比其中形成有所述小型沟槽的材料高的带隙的材料填充所述小型沟槽的底部；

在所述小型沟槽中所述高带隙材料上方形成热氧化物；及

将离子扩散到所述热氧化物中以形成固定电荷。

22.根据权利要求20所述的方法，其中形成所述沟道区包括形成PNP沟道区。

23.根据权利要求20所述的方法，其中形成所述沟道区包括形成凹入式沟道区。

24.根据权利要求23所述的方法，其中形成栅极区包括在所述凹入式沟道区中形成栅极。

25.根据权利要求20所述的方法，其中形成所述沟道区包括形成鳍式沟道区。

26.根据权利要求25所述的方法，其中形成所述栅极区包括形成覆盖所述沟道的三个侧的栅极。

27.根据权利要求20所述的方法，其包括形成漏极区及源极区。

28.根据权利要求20所述的方法，其包括在与所述栅极相同的平面中形成存储器元件。

29.根据权利要求20所述的方法，其包括在所述栅极上面的平面中形成存储器元件。