[发明专利]结场效应晶体管装置结构及其制作方法

权利要求书

1.一种晶体管，其包括：

半导体衬底，其包括源极及漏极；

经掺杂沟道，其形成于所述半导体衬底中所述源极与所述漏极之间，所述沟道经配置以在所述源极与所述漏极之间传递电流；

栅极，其包括形成于所述沟道上方的半导体材料；及

电介质间隔物，其位于所述栅极的每一侧上，

其中所述源极及所述漏极在空间上与所述栅极分离，使得所述栅极不位于所述源极及漏极上方。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述源极及漏极与所述栅极分离约等于所述电介质间隔物的宽度的距离。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述电介质间隔物的所述宽度约为所述栅极的长度的1/3。

4.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述电介质间隔物的所述宽度小于所述栅极的所述长度的1/3。

5.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述半导体衬底为绝缘体上硅。

6.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述半导体衬底为蓝宝石上硅。

7.根据权利要求5所述的晶体管，其中所述绝缘体是经掺杂的。

8.根据权利要求5所述的晶体管，其中所述绝缘体掺杂有硼以在所述沟道区下方形成富硼氧化物。

9.一种晶体管，其包括：

衬底材料；

硅，其形成于所述衬底上方；

沟道，其形成于所述硅中；

栅极，其形成于所述沟道上方；及

源极及漏极，其形成于所述硅中所述沟道的相对侧上，其中所述源极及漏极不在所述栅极下方延伸。

10.根据权利要求9所述的晶体管，其包括位于所述栅极的每一侧上的绝缘间隔物。

11.根据权利要求10所述的晶体管，其中所述漏极及源极在空间上与所述栅极分离约等于所述间隔物的宽度的距离。

12.根据权利要求11所述的晶体管，其中每一间隔物的所述宽度约为所述栅极的长度的1/3。

13.根据权利要求9所述的晶体管，其中所述衬底材料经掺杂以形成p型绝缘体。

14.根据权利要求9所述的晶体管，其中所述衬底材料经掺杂以形成n型绝缘体。

15.根据权利要求13所述的晶体管，其中所述沟道被掺杂为n型且所述栅极被掺杂为p型以形成n-JFET增强模式装置。

16.根据权利要求14所述的晶体管，其中所述沟道被掺杂为p型且所述栅极被掺杂为n型以形成p-JFET增强模式装置。

17.根据权利要求15所述的晶体管，其中沟道掺杂水平约小于1e¹⁶/cm³。

18.根据权利要求16所述的晶体管，其中所述沟道掺杂水平约小于1e¹⁶/cm³。

19.根据权利要求13所述的晶体管，其中所述硅包括位于所述硅与所述衬底材料的界面处的p型区，其中所述p型区在所述沟道下方。

20.根据权利要求13所述的晶体管，其中所述硅包括位于所述硅与所述衬底材料的所述界面处的n型区，其中所述n型区在所述沟道下方。

21.一种半导体装置，其包括：

一个或一个以上晶体管的第一层级，所述第一层级包括：

第一绝缘衬底；

第一半导体，其形成于所述衬底上方；

第一栅极，其形成于所述半导体上方；及

第一绝缘间隔物，其形成于所述栅极的每一侧上；及

包括一个或一个以上晶体管的第二层级，所述第二层级包括：

第二绝缘衬底，其形成于所述第一层级上方；

第二半导体，其形成于所述第二衬底上方；

第二栅极，其形成于所述第二半导体上方；及

第二绝缘间隔物，其形成于所述第二栅极的每一侧上。

22.根据权利要求21所述的半导体装置，其中分别形成于所述第一及第二栅极的每一侧上的所述第一及第二绝缘间隔物各自分别约为所述第一及第二栅极的长度的1/3。