[发明专利]用于蚀刻腔室部件的填充聚合物组成

权利要求书

1.一种组成，其包含：

聚合物基质；

粒子填充料，其分散于该聚合物基质中；

其中该粒子填充料选自由以下各者所组成的群组：Nb₂O₃、YF₃、AlN、Al、SiC、Si₃N₄、稀土族元素氧化物及其组合。

2.如权利要求1所述的组成，其中该粒子填充料为Y₂O₃。

3.如权利要求1所述的组成，其中该粒子填充料具有小于10微米的粒径。

4.如权利要求1所述的组成，其中该组成包含体积50％-75％的粒子填充料。

5.如权利要求1所述的组成，其中该聚合物基质选自由以下各者所组成的群组：氟化碳系列、聚酰亚胺系列、醚酮系列及硅系列。

6.如权利要求1所述的组成，其为O形环的形式。

7.如权利要求1所述的组成，其为粘合剂的形式。

8.如权利要求7所述的组成，其中该粘合剂被接合至选自由以下各者所组成的构件：静电夹头、喷头及腔室衬垫。

9.如权利要求1所述的组成，其为阴极绝缘体的形式。

10.一种操作蚀刻腔室的方法，其包含以下步骤：

引燃等离子体；及

暴露腔室部件至该等离子体；

其中该腔室部件包含聚合物基质及粒子填充料，该粒子填充料分散于该聚合物基质中，该粒子填充料选自由以下各者所组成的群组：Nb2O5、YF3、AlN、Al、SiC、Si3N4、稀土族元素氧化物、及其组合。

11.如权利要求10所述的方法，其中该等离子体包含清洁化学物质，其系选自由以下各者所组成的群组：O₂及SiCl₄。

12.如权利要求10所述的方法，其中该等离子体包含导电性表面蚀刻化学物质，其选自由以下各者所组成的群组：HBr、Cl₂、CF₄及O₂。

13.如权利要求10所述的方法，其中该等离子体包含介电基板蚀刻化学物质，其选自由以下各者所组成的群组：CF₄及CHF₃。

14.如权利要求10所述的方法，其中该填充聚合物基质硅选自由以下各者所组成的群组：O形环、粘合剂及阴极绝缘体。

15.如权利要求11所述的方法，其中该等离子体从该蚀刻腔室移除AlF污染。