[发明专利]用于蚀刻腔室部件的填充聚合物组成

说明书

关联申请

本专利申请涉及于2009年12月7日递交的美国专利申请号12/632,712，并要求其优先权，该美国专利申请要求于2008年12月10日递交的美国临时专利申请号61/121,490的优先权。

技术领域

本发明的实施例涉及填充聚合物材料的领域。明确地说，本发明的实施例涉及用于蚀刻腔室部件的填充聚合物组成。

背景技术

用于蚀刻腔室部件的聚合物材料于基板蚀刻及腔室清洁制程期间在蚀刻腔室内暴露于等离子体。例如，形成于腔室部件上的等离子体蚀刻残余物及副产物可造成长期的问题，且因此须周期性地清洁蚀刻腔室以防止制程产生偏差及产生粒子。因此，聚合物材料自身成为粒子添加剂(particle adder)来源且因为聚合物材料由多种蚀刻及清洁等离子体腐蚀亦必须周期性替换。

发明内容

本发明实施例揭露种填充聚合物组成，包括粒子填充物，其分散于聚合物基质中。该粒子填充物可为五氧化二铌(Nb₂O₃)、三氟化钇(YF₃)、氮化铝(AlN)、铝(Al)、碳化硅(SiC)、四氮化三硅(Si₃N₄)、稀土族元素氧化物(rare earth oxide)及其组合。可在任何暴露至等离子体的腔室中或工作环境中使用填充聚合物组成以延长工作寿命、改良应用温度、增进制程均匀度、减少粒子形成量、及减少金属污染。在实施例中，利用填充聚合物组成作为用于静电夹头的接合粘合剂，用于喷头的接合粘合剂，用于衬垫的接合粘合剂、密封材料、O形环、或塑料部件。

附图说明

图1A及图1B为蚀刻腔室的等角视图。

图1C包括俯视图及喷头后侧及O形环的特写等角视图。

图1D为静电夹头后侧的俯视图。

图2A-图2B示出暴露至CH₄/CHF₃等离子体5RF小时的粘合剂的腐蚀表面的表面型态。

图3A-图3B示出暴露至HBr/Cl₂/CF₄/O₂等离子体6.5RF小时的粘合剂的腐蚀表面的表面型态。

图4A-图4B示出暴露至SiC₄等离子体12RF小时的粘合剂的腐蚀表面的表面型态。

具体实施方式

本发明的实施例揭示了填充聚合物组成及填充聚合物于等离子体腔室部件中的应用。

于本文中参照图示描述各种实施例。为了提供对本发明的通盘了解，许多特定细节(例如特定配置、组成及制程等)将在随后描述中阐述。然而，有些实施例可在不具或多个该等细节下实施，或结合其它习知方法及配置来实施。在其它例子中，为了不必要的混淆本发明，习知制程及制造技术并未特别详细描述。参考本发明书中通篇的(一个(one)实施例)或((an)实施例)表示涉及该实施例的特定特征结构、配置、组成、或特征包含在本发明的至少一个实施例中。因此，在通篇本发明书中各处出现的词句(在一个实施例中)或(实施例)并非必须参照本发明的相同实施例。另外，特定特征结构、配置、组成、或特征可以任何适当方式结合于一个或多个实施例中。

本发明实施例揭露填充聚合物组成，其包括分散于聚合物基质中的粒子填充料。在实施例中，粒子填充料具有10nm-10μm的平均粒径，且可为稀土族元素氧化物、Nb₂O₅、YF₃、AlN、SiC、Si₃N₄及其组合。在另一实施例中，粒子填充料可为例如具有相同平均粒径的铝粉末的金属。粒子填充料可紧密地与聚合物基质结合以提供具改良质量的组成，该组成包括极佳的抗等离子体性、材料结构稳定度(低排气)、高温应用、改良的热性质(热传导度及热膨胀)、改进的机械性质(伸长度、弹性模数、迭绕共享(lap share)、拉伸强度)且大大减少的粒子产生的可能性。可在任何暴露至各种等离子体的腔室中或工作环境中使用填充聚合物组成，以延长工作寿命、改良应用温度、增进制程均匀度、减少粒子形成量、及减少金属污染。在实施例中，利用填充聚合物组成作为用于静电夹头的接合粘合剂，用于喷头的接合粘合剂，用于衬垫的接合粘合剂、密封材料、O形环或塑料部件。