[发明专利]用于网板印刷图案对准的增强型检视系统有效
申请号: | 200980149941.9 | 申请日: | 2009-10-02 |
公开(公告)号: | CN102318078A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 马可·加里亚佐;蒂莫西·W·韦德曼;安德烈亚·贝茨尼;森霍姆(史蒂夫)·帕克;方洪斌;张振华 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L21/20;H01L21/027 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 印刷 图案 对准 增强 检视 系统 | ||
1.一种太阳能电池形成工艺,包括下列步骤:
安置基板于基板接收表面上,其中该基板具有第一表面以及形成于其上的图案化经掺杂区域;
确定该基板上的该图案化经掺杂区域的实际位置,其中确定实际位置包括下列步骤:
朝向该第一表面发射电磁辐射;
自该第一表面的的区域接收具有第一波长的电磁辐射;
使用接收自该基板上该图案化经掺杂区域的该确定的实际位置的信息,将网板印刷蒙片中的一个或多个特征对准该图案化经掺杂区域;以及
在将该一个或多个特征对准该图案化经掺杂区域后,经过该一个或多个特征沉积材料层于该图案化经掺杂区域的至少一部分上。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池形成工艺,其中该层包括导电材料,该基板包括硅,且该图案化经掺杂区域具有大于约1×1018原子/cm3的掺杂浓度。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池形成工艺,其中接收具有第一波长的电磁辐射藉由一光学检测器实施,该光学检测器安置于邻近该第一表面处,且该发射的电磁辐射被提供至相对该第一表面的第二表面。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池形成工艺,其中确定该图案化经掺杂区域的该实际位置包括下列步骤:撷取设置于该基板的表面上的两个或更多个对准标记的光学图像,并且确定各个对准标记对理想位置在位置上的差异,以确定根据该光学图像的补偿。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池形成工艺,其中该对准标记的该理想位置是在印刷该第一层前对应该基板的该至少一个特征而确定。
6.根据权利要求4所述的太阳能电池形成工艺,其中至少三个对准标记使用网板印刷工艺形成于该基板的该表面上。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池形成工艺,其中比较该对准标记的该实际位置包括下列步骤:建构第一参考线于两个该对准标记之间,并建构第二参考线于第三对准标记以及该第一参考线之间,其中该第二参考线垂直该第一参考线。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池形成工艺,其中安置基板于基板接收表面上包括下列步骤:
接收基板于支撑材料的第一表面上;
使用连接该支撑材料的致动器,移动该支撑材料跨越该基板支撑件的表面;以及
抽空该支撑材料的该第一表面背后的区域,以抓持设置于该第一表面上的该基板抵住该基板支撑件;且
将网板印刷蒙片中的特征对准该图案化经掺杂区域进一步包括下列步骤:将该支撑材料的该第一表面上所抓持的该基板安置于该网板印刷蒙片下。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池形成工艺,其中确定该基板上的该图案化经掺杂区域的实际位置进一步包括下列步骤:
安置该基板接收表面或网板印刷蒙片,致使该发射的电磁辐射的一部分在其被检测器接收前,先通过形成于该网板印刷蒙片中的一个或多个特征,以及设置于该基板接收表面上的该基板的该第一表面,
其中将网板印刷蒙片中的一个或多个特征对准该图案化经掺杂区域包括下列步骤:将形成于该网板印刷蒙片中的该特征的位置调整至形成于该基板上的该图案化经掺杂区域的一部分。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池形成工艺,其中形成于该基板上的该图案化经掺杂区域的该部分,包括两个或更多个嵌套构件,其具有形成于其间的间隙,其中该两个或更多个嵌套构件中的至少一个具有第一宽度,且形成于该网板印刷蒙片中的该特征具有第二宽度小于该第一宽度。
11.根据权利要求9所述的太阳能电池形成工艺,其中确定该基板上的该图案化经掺杂区域的实际位置进一步包括下列步骤:检测由该检测器自该图案化经掺杂区域的两个或更多个区域所接收的该发射的电磁辐射的强度变化。
12.一种太阳能电池形成工艺,包括下列步骤:
设置遮蔽材料于基板的第一表面上的图案中;
当该遮蔽材料被设置于该第一表面上,蚀刻该第一表面的一部分,其中该遮蔽材料实质上阻挡该第一表面的多个设置有该遮蔽材料的区域的蚀刻;
撷取该第一表面的一部分的光学图像;
使用自该撷取的光学图像所接收的信息,将网板印刷蒙片中的多个特征对准该多个区域中的至少一部分;以及
经过所述特征沉积材料层于该多个区域的至少一部分上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的