[发明专利]用于网板印刷图案对准的增强型检视系统

说明书

发明背景

发明领域

本发明的具体实施例通常关于用来在基板的表面的期望区域上形成图案化层的系统及工艺。

相关技术的描述

太阳能电池为将太阳光直接转换成电能的光伏(photovoltaic，PV)器件。PV市场在过去十年经历了年增长率超过30％的增长。某些文章认为，在不久的将来，全球太阳能电池能量产品的产量可能超过10GWp。据估计，全部太阳能模块有超过95％以硅晶片为基底。高市场增长率结合对实质上降低太阳电力成本的需求，造成了对廉价形成高质量太阳能电池的诸多严峻挑战。因此，制造商业上可行的太阳能电池的一个主要件在于，藉由增进器件产量并增加基板生产量，来降低形成太阳能电池所需的制造成本。

太阳能电池典型地具有一或一个以上p-n结(p-n junction)。各p-n结包括半导体材料中的两个不同区域，其中一边表示为p-型区域，而另一边则表示为n-型区域。当将太阳能电池的p-n结暴露于阳光(由光子能量构成)下时，阳光会透过PV效应被直接转换为电。太阳能电池产生特定量的电能，并平铺成模块尺寸以传递期望量的系统电能。太阳能模块与特定框架及连接器连结成面板。太阳能电池通常形成于硅基板上，该硅基板可为单晶硅或多晶硅基板。典型的太阳能电池包含典型地小于约0.3mm厚度的硅晶片、基板或薄片，且具n-型硅薄层位在形成于基板上的p-型区域的顶部。

图1A及1B概略地绘示于晶片11上制成的标准硅太阳能电池10。晶片11包含p-型基极区域21、n-型发射极区域22以及设置于其间的p-n结区域23。为了增加负电荷载流子(即，电子)的数量，n-型区域或n-型半导体是通过以某类元素(例如，磷(P)、砷(As)或锑(Sb))掺杂半导体而形成的。类似地，p-型区域或p-型半导体，藉由将三价原子加入结晶格中而形成，造成对硅晶格而言正常的四个共价键之一失去一个电子。因而，掺杂原子可接受来自毗邻原子共价键的电子，以完成第四键结。掺杂原子接受电子，导致该毗邻原子失去半个键结，并造成“空穴”的形成。

当光线落于太阳能电池上时，来自入射光子的能量于p-n结区域23的两侧产生电子-空穴对。电子跨过p-n结扩散至较低能级，且空穴于相反方向上扩散，于发射极上创造负电荷，并于基极中累积相对应的正电荷。当电路形成于发射极与基极之间，且p-n结暴露于光的某些波长下时，电流将会流动。藉由半导体受光照所产生的电流流经设置于前侧18，即受光侧(light-receiving side)上的接触，以及太阳能电池10的背侧19。顶部接触结构，如图1A所示，通常被设置成宽距离薄金属线，或指状物14，其供应电流至较大的汇流条(bus bar)15。既然后接触25不防止入射光线撞击太阳能电池10，其通常并不受限于被形成多重薄金属线。太阳能电池10通常以介电材料(如Si₃N₄)的薄膜覆盖，介电材料的薄膜作为抗反射涂层16，或ARC，以最小化自太阳能电池10的顶部表面22A的光反射。