[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200980151001.3 | 申请日： | 2009-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN102257620A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 东田祥史 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
第一导电型的半导体衬底；
多个第二导电型的半导体区域，其分别与所述半导体衬底的第一主面平行地沿行方向或列方向延伸，且分别埋入以一定间隔彼此分开的、形成于所述半导体衬底内的多个条纹状沟槽内，
通过使耗尽层彼此相接，将半导体衬底和半导体区域耗尽，该耗尽层从由半导体衬底分别与半导体区域形成的多个pn结向与第一主面平行的方向延伸。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还具备：
第一主电极，其配置于所述半导体衬底的所述第一主面上；
第二主电极，其配置于所述半导体衬底的所述第二主面上，
主电流经由所述半导体衬底流过所述第一主电极和第二主电极之间。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，还具有在所述第一主电极和所述半导体衬底之间配置于所述半导体区域上的第二导电型的控制电极区域，在所述控制电极区域形成有第一导电型的沟道区域，所述主电流流过所述第一主电极和所述第二主电极之间。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，通过外延生长在所述沟槽内形成有多个所述半导体区域。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，沿与所述半导体区域的延伸方向垂直的方向，所述半导体区域的剖面形状为柱状。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，多个所述半导体区域的各自的宽度彼此相同。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，多个所述半导体区域的各自的宽度、和位于多个所述半导体区域之间区域的所述半导体衬底的宽度相同。
8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述沟槽的深度为20μm以上。
9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述沟槽的宽度在所述半导体衬底的膜厚度方向上为一定。
10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，与所述第一主面平行的多个所述半导体区域之间的距离为10μm以下。
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