[发明专利]电介质陶瓷、使用该电介质陶瓷的电介质谐振器以及电介质陶瓷的制造方法无效

专利信息
申请号: 200980152159.2 申请日: 2009-12-25
公开(公告)号: CN102264668A 公开(公告)日: 2011-11-30
发明(设计)人: 榎田志穗;村川俊一 申请(专利权)人: 京瓷株式会社
主分类号: C04B35/46 分类号: C04B35/46;H01B3/12;H01P11/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 蒋亭
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电介质 陶瓷 使用 谐振器 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种电介质陶瓷,其以含有La、Al、Ca和Ti的结晶作为主成分,并且含有钼氧化物。

2.根据权利要求1所述的电介质陶瓷,其特征在于,当将所述主成分的组成式表示为αLa2OX·βAl2O3·γCaO·δTiO2(其中,3≤x≤4)时,摩尔比α、β、γ、δ满足下式,

0.056≤α≤0.214

0.056≤β≤0.214

0.286≤γ≤0.500

0.286≤δ≤0.460

α+β+γ+δ=1。

3.根据权利要求2所述的电介质陶瓷,其特征在于,所述摩尔比α、β、γ、δ满足下式,

0.078≤α≤0.187

0.078≤β≤0.187

0.330≤γ≤0.470

0.350≤δ≤0.446

α+β+γ+δ=1。

4.根据权利要求1所述的电介质陶瓷,其特征在于,所述钼的含量以氧化物换算为0.001质量%以上且1质量%以下。

5.根据权利要求1所述的电介质陶瓷,其特征在于,作为金属元素还将Mn、W、Nb和Ta中的至少一种,分别以MnO2、WO3、Nb2O5和Ta2O5换算,合计含有0.01质量%以上且3重量%以下。

6.一种电介质谐振器,包括:

含有权利要求1所述的电介质陶瓷的介电性部件;

夹着所述介电性部件而对置的输入端子和输出端子;以及

围住所述介电性部件、所述输入端子和所述输出端子的该介电性部件一侧的前端的外壳。

7.一种电介质陶瓷的制造方法,包括:

混合镧化合物、铝化合物、钙化合物和钛化合物的各粉末和由钼氧化物、钨酸锰以及钛酸锰中的任意一种构成的粉末,生成混合物的混合工序;

对所述混合物施加压力形成成形体的成形体形成工序;以及

烧成所述成形体的烧成工序。

8.根据权利要求7所述的电介质陶瓷的制造方法,其中所述镧化合物、所述铝化合物、所述钙化合物和所述钛化合物分别是La2O3、Al2O3、CaCO3和TiO2

9.根据权利要求7所述的电介质陶瓷的制造方法,其中,在所述混合工序中,将所述镧化合物、所述铝化合物、所述钙化合物和所述钛化合物的各粉末,与所述钨酸锰或所述钛酸锰的粉末进行混合,并且将所述钨酸锰或所述钛酸锰的粉末含有0.01质量%以上且3质量%以下。

10.根据权利要求7所述的电介质陶瓷的制造方法,其中,在所述混合工序中,将所述镧化合物、所述铝化合物、所述钙化合物和所述钛化合物的各粉末,与所述钨酸锰或所述钛酸锰的粉末、Yb和Ce中的至少一种粉末、以及Bi粉末进行混合,并且将所述Bi的粉末以Bi2O3换算混合0.005质量%以上且0.3质量%以下。

11.根据权利要求10所述的电介质陶瓷的制造方法,其中,将所述Yb和Ce中的至少一种粉末和所述Bi粉末分别以Yb2O3换算、以Ce2O3换算和以Bi2O3换算合计含有0.010质量%以上且3质量%以下。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京瓷株式会社,未经京瓷株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980152159.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top