[发明专利]电介质陶瓷、使用该电介质陶瓷的电介质谐振器以及电介质陶瓷的制造方法无效
申请号: | 200980152159.2 | 申请日: | 2009-12-25 |
公开(公告)号: | CN102264668A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 榎田志穗;村川俊一 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | C04B35/46 | 分类号: | C04B35/46;H01B3/12;H01P11/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电介质 陶瓷 使用 谐振器 以及 制造 方法 | ||
1.一种电介质陶瓷,其以含有La、Al、Ca和Ti的结晶作为主成分,并且含有钼氧化物。
2.根据权利要求1所述的电介质陶瓷,其特征在于,当将所述主成分的组成式表示为αLa2OX·βAl2O3·γCaO·δTiO2(其中,3≤x≤4)时,摩尔比α、β、γ、δ满足下式,
0.056≤α≤0.214
0.056≤β≤0.214
0.286≤γ≤0.500
0.286≤δ≤0.460
α+β+γ+δ=1。
3.根据权利要求2所述的电介质陶瓷,其特征在于,所述摩尔比α、β、γ、δ满足下式,
0.078≤α≤0.187
0.078≤β≤0.187
0.330≤γ≤0.470
0.350≤δ≤0.446
α+β+γ+δ=1。
4.根据权利要求1所述的电介质陶瓷,其特征在于,所述钼的含量以氧化物换算为0.001质量%以上且1质量%以下。
5.根据权利要求1所述的电介质陶瓷,其特征在于,作为金属元素还将Mn、W、Nb和Ta中的至少一种,分别以MnO2、WO3、Nb2O5和Ta2O5换算,合计含有0.01质量%以上且3重量%以下。
6.一种电介质谐振器,包括:
含有权利要求1所述的电介质陶瓷的介电性部件;
夹着所述介电性部件而对置的输入端子和输出端子;以及
围住所述介电性部件、所述输入端子和所述输出端子的该介电性部件一侧的前端的外壳。
7.一种电介质陶瓷的制造方法,包括:
混合镧化合物、铝化合物、钙化合物和钛化合物的各粉末和由钼氧化物、钨酸锰以及钛酸锰中的任意一种构成的粉末,生成混合物的混合工序;
对所述混合物施加压力形成成形体的成形体形成工序;以及
烧成所述成形体的烧成工序。
8.根据权利要求7所述的电介质陶瓷的制造方法,其中所述镧化合物、所述铝化合物、所述钙化合物和所述钛化合物分别是La2O3、Al2O3、CaCO3和TiO2。
9.根据权利要求7所述的电介质陶瓷的制造方法,其中,在所述混合工序中,将所述镧化合物、所述铝化合物、所述钙化合物和所述钛化合物的各粉末,与所述钨酸锰或所述钛酸锰的粉末进行混合,并且将所述钨酸锰或所述钛酸锰的粉末含有0.01质量%以上且3质量%以下。
10.根据权利要求7所述的电介质陶瓷的制造方法,其中,在所述混合工序中,将所述镧化合物、所述铝化合物、所述钙化合物和所述钛化合物的各粉末,与所述钨酸锰或所述钛酸锰的粉末、Yb和Ce中的至少一种粉末、以及Bi粉末进行混合,并且将所述Bi的粉末以Bi2O3换算混合0.005质量%以上且0.3质量%以下。
11.根据权利要求10所述的电介质陶瓷的制造方法,其中,将所述Yb和Ce中的至少一种粉末和所述Bi粉末分别以Yb2O3换算、以Ce2O3换算和以Bi2O3换算合计含有0.010质量%以上且3质量%以下。
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