[发明专利]电介质陶瓷、使用该电介质陶瓷的电介质谐振器以及电介质陶瓷的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及电介质陶瓷、使用该电介质陶瓷的电介质谐振器以及电介质陶瓷的制造方法。

背景技术

在移动电话的中继基站中使用谐振器。该谐振器中使用滤波器。滤波器是例如由陶瓷构成的介电性部件。以往，作为具有优异的介电特性的陶瓷，提出过含有La、Al、Ca以及Ti的陶瓷(例如日本特开平6-76633号公报)。该电介质陶瓷可以获得介电常数为20以上、Q值为20000以上的介电特性。

但是，近年来，对谐振器的紧凑化的要求日益变高，需要一种具有更高介电常数和Q值的电介质陶瓷。

发明内容

本发明的一个方式的电介质陶瓷以含有La、Al、Ca和Ti的结晶作为主要成分，并且含有钼氧化物。

并且，本发明的一个方式的电介质谐振器包括含有上述电介质陶瓷的介电性部件、隔着介电性部件而对置的输入端子和输出端子、以及外壳。外壳围住介电性部件、输入端子和输出端子的介电性部件一侧的各前端。

另外，本发明的一个方式的电介质陶瓷的制造方法包括：将镧化合物、铝化合物、钙化合物和钛化合物各粉末、和由钼氧化物、钨酸锰以及钛酸锰中的任意一种构成的粉末进行混合，生成混合物的工序；对混合物施加压力，形成成形体的工序；以及烧成成形体的工序。

本发明的一个方式的电介质陶瓷具有高的介电常数和Q值。

根据本发明的一个方式的电介质陶瓷的制造方法，可以获得具有高介电特性(介电常数、Q值)的电介质陶瓷。

根据本发明的一个方式的电介质谐振器，可以实现更小型的电介质谐振器。

附图说明

图1是表示本发明的一个方式的电介质谐振器的剖面图。

符号说明

1：电介质谐振器

2：金属外壳

3：输入端子

4：输出端子

5：介电性部件

具体实施方式

下面对本发明的实施方式进行说明。本实施方式的电介质陶瓷以含有La、Al、Ca和Ti的结晶作为主要成分，并且含有钼氧化物。钼氧化物例如为MoO₂、MoO₃、CaMoO₄等，该钼氧化物在电介质陶瓷中作为副结晶相被含有。该钼氧化物因伴随Mo的价数的变化而释放出氧，因此可以向电介质陶瓷中的氧缺陷供给氧。由此，可以抑制由氧缺陷而导致的电介质陶瓷的Q值和介电常数的降低。此外，氧缺陷也会使电介质陶瓷的谐振频率的温度依存性恶化，因此通过在电介质陶瓷中含有钼氧化物，可以抑制该温度依存性的恶化。

上述含有La、Al、Ca和Ti的结晶优选是钙钛矿结构的结晶。钙钛矿结构的结晶是A位和B位的金属元素有规则地排列的ABO₃型的结晶结构，在氧缺陷少的情况下，晶格变形变小，可以获得高Q值。在电介质陶瓷含有La、Al、Ca和Ti的情况下，A位原子由La和Ca构成，B位原子由Al和Ti构成。此外，A位和B位有规则地排列着。其中如果电介质陶瓷含有钼氧化物，则钼氧化物会释放出氧，因此在上述钙钛矿结构的结晶中氧缺陷变少。其结果，结晶结构的晶格变形变小，因此可以获得高Q值。

此外，本实施方式的电介质陶瓷含有La、Al、Ca和Ti，当将组成式表示为αLa₂O_X·βAl₂O₃·γCaO·δTiO₂(其中，3≤x≤4)时，摩尔比α、β、γ、δ满足下式(1)～式(5)。

0.056≤α≤0.214···(1)

0.056≤β≤0.214···(2)

0.286≤γ≤0.500···(3)

0.286≤δ≤0.460···(4)

α+β+γ+δ＝1·····(5)

由此，本实施方式的电介质陶瓷具有优异的介电特性。具体来说，介电常数(εr)大、Q值变高。

当0.056≤α≤0.214时，电介质陶瓷的介电常数(εr)大、Q值变高。特别是，如果0.078≤α≤0.187，则可以更稳定地获得优异的介电特性。

此外，当0.056≤β≤0.214时，电介质陶瓷的介电常数(εr)大、Q值变高。特别是，如果0.078≤β≤0.187，则可以更稳定地获得优异的介电特性。