[发明专利]包括中点基准的随机存取存储器架构

权利要求书

1.一种随机存取存储器架构，包含：

存储单元的阵列，每个存储单元具有包含第一电阻状态和第二电阻状态之一的可编程状态；以及

耦合在第一节点与第二节点之间并具有在第一电阻状态的电阻与第二电阻状态的电阻之间的电阻的中点基准，其包含：

与第一节点耦合并具有包含第一电阻状态和第二电阻状态之一的可编程状态的第一存储元件；

与第二节点耦合并与所述第一存储元件耦合且具有包含第一电阻状态和第二电阻状态之一的可编程状态的第二存储元件；以及

有选择地与所述第一或第二存储元件耦合，以便感测耦合的第一或第二存储元件处在所述第一还是第二电阻状态下的电路。

2.如权利要求1所述的随机存取存储器架构，进一步包含：

与第一节点耦合并具有包含第一电阻状态和第二电阻状态之一的可编程状态的第三存储元件；以及

与第二节点耦合并与所述第三存储元件耦合具有包含第一电阻状态和第二电阻状态之一的可编程状态的第四存储元件；

其中，所述电路进一步有选择地与所述第三或第四存储元件耦合，以便感测耦合的第三或第四存储元件处在所述第一还是第二电阻状态下。

3.如权利要求2所述的随机存取存储器架构，其中，所述第三存储元件进一步与所述第二存储元件耦合。

4.如权利要求1所述的随机存取存储器架构，其中，所述第一存储元件包含第一对串联存储元件，所述第二存储元件包含第二对串联存储元件，所述随机存取存储器架构进一步包含：

与所述存储单元的阵列耦合的感测放大器；以及

与所述感测放大器耦合的电压偏置部分，所述电压偏置部分包括所述第一和第二存储元件。

5.如权利要求1所述的随机存取存储器架构，进一步包含：

包含存储单元的至少一个数据列的所述存储单元的阵列，所述存储单元的至少一个数据列被耦合成将信息存储在至少一个存储单元内，每个存储单元包括可编程成所述第一电阻状态和第二电阻状态之一的至少一个非易失性存储元件；

被放置成与所述至少一个数据列相邻、具有在所述第一电阻数据状态与第二电阻状态之间的净电阻的电路；以及

与所述至少一个数据列耦合的差分读出电路，用于将从非对称存储元件中生成的数据电流与从所述电路中生成的参考电流差分比较，并提供数据输出信号，其中所述差分读出电路包括所述第一和第二存储元件。

6.如权利要求4所述的随机存取存储器架构，其中，所述电压偏置电路包含：

第一导电类型的第一晶体管，其含有与第一节点耦合的第一电流电极、与第二节点耦合的第二电流电极、和与参考电压耦合的控制电极；

第二导电类型的第二晶体管，其含有与第二节点耦合的第一电流电极、与漏极电压耦合的第二电流电极、和与第二节点耦合的控制电极；

第一导电类型的第三晶体管，其含有与第一节点耦合的第一电流电极、与第二节点耦合的第二电流电极、和与参考电压耦合的控制电极；以及

第二导电类型的第四晶体管，其含有与第二节点耦合的第一电流电极、与漏极电压耦合的第二电流电极、和与第二节点耦合的控制电极；

其中，所述第一和第二存储元件耦合在第一节点与电压源之间。

7.一种随机存取存储器架构，包含：

多个非对称存储元件，每一个能够具有第一电阻状态和第二电阻状态，其中电流沿着第一方向流过时的电阻不等于电流沿着第二方向流过时的电阻；

第一对串联存储元件，其分别具有第一电阻和第二电阻，并被布置成其中电流沿着第一方向流过所述第一对串联存储元件中的两个存储元件；以及

第二对串联存储元件，其分别具有第三电阻和第四电阻，与所述第一对串联存储元件并联地耦合，并被布置成其中电流沿着第一方向流过所述第二对串联存储元件中的两个存储元件。