[发明专利]陶瓷电子元器件的制造方法及陶瓷电子元器件有效
申请号: | 200980153156.0 | 申请日: | 2009-12-01 |
公开(公告)号: | CN102265360A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 水野辰哉;河野上正晴;桥本大喜;上田充 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01G4/12 | 分类号: | H01G4/12;H01G4/30 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 刘多益 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 电子元器件 制造 方法 | ||
1.一种陶瓷电子元器件的制造方法,该方法是包括陶瓷主体和设置于所述陶瓷主体表面的外部电极的陶瓷电子元器件的制造方法,其特征在于,
包括拒油处理工序,该拒油处理工序中,在所述陶瓷主体的表面形成所述外部电极后,用拒油处理剂对所述陶瓷主体实施拒油处理,在所述陶瓷主体的表面形成熔剂浸入防止膜,并且
所述拒油处理剂以包含至少一个
-CONH(CH2)3Si(OR)3
的多氟聚醚化合物为主要成分,包含氢氟醚作为溶剂;
式中,OR为甲氧基或乙氧基。
2.一种陶瓷电子元器件的制造方法,该方法是包括陶瓷主体和设置于所述陶瓷主体表面的表面具有镀膜的外部电极的陶瓷电子元器件的制造方法,其特征在于,
包括拒油处理工序,该拒油处理工序中,在所述外部电极的表面形成所述镀膜后,用拒油处理剂对所述陶瓷主体实施拒油处理,在所述陶瓷主体的表面形成熔剂浸入防止膜,并且
所述拒油处理剂以包含至少一个
-CONH(CH2)3Si(OR)3
的多氟聚醚化合物为主要成分,包含氢氟醚作为溶剂;
式中,OR为甲氧基或乙氧基。
3.一种陶瓷电子元器件的制造方法,该方法是包括陶瓷主体和设置于所述陶瓷主体表面的表面具有镀膜的外部电极的陶瓷电子元器件的制造方法,其特征在于,
包括拒油处理工序,该拒油处理工序中,在形成所述外部电极后、形成所述镀膜前,用拒油处理剂对所述陶瓷主体实施拒油处理,在所述陶瓷主体的表面形成熔剂浸入防止膜,并且
所述拒油处理剂以包含至少一个
-CONH(CH2)3Si(OR)3
的多氟聚醚化合物为主要成分,包含氢氟醚作为溶剂;
式中,OR为甲氧基或乙氧基。
4.如权利要求1~3中任一项所述的陶瓷电子元器件的制造方法,其特征在于,所述拒油处理剂的多氟聚醚化合物是选自下述(I)、(II)、(III)、(IV)、(V)、(VI)的至少一种:
(I)C3F7O(CF(CF3)CF2O)yCF(CF3)-A
(II)CF3O(C2F4O)yCF2-A
(III)A-CF2O(CF2O)x(C2F4O)yCF2-A
(IV)A-CF2O(C2F4O)xCF2-A
(V)A-CF(CF3)O(CF(CF3)CF2O)yCF(CF3)-A
(VI)A-(CF2)3O(C4F8O)y(CF2O)3-A
式中,所述A是选自
(一)-CONH(CH2)3Si(OR)3
(二)(CnF2n+1)
(三)(CnF2n+1O)
(四)(HCnF2nO)
(五)(HCnF2n+1O)
的至少一种,结构式(I)~(VI)中,至少一个所述A是所述(一)的-CONH(CH2)3Si(OR)3,并且
所述x为1~50,y为4~40,n为1~4;
式(一)中,OR为甲氧基或乙氧基。
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