[发明专利]陶瓷电子元器件的制造方法及陶瓷电子元器件有效

专利信息
申请号: 200980153156.0 申请日: 2009-12-01
公开(公告)号: CN102265360A 公开(公告)日: 2011-11-30
发明(设计)人: 水野辰哉;河野上正晴;桥本大喜;上田充 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01G4/12 分类号: H01G4/12;H01G4/30
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 刘多益
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 陶瓷 电子元器件 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及陶瓷电子元器件及其制造方法,详细而言,本发明涉及在构成陶瓷电子元器件的陶瓷主体的表面设置有外部电极的陶瓷电子元器件及其制造方法。

背景技术

近年来,进行布线基板等的安装时,广泛采用表面安装型陶瓷电子元器件(例如使用磁性体陶瓷的陶瓷电感器、使用电介质陶瓷的陶瓷电容器、使用压电体陶瓷的陶瓷压电元器件等),该表面安装型陶瓷电子元器件的安装方法是通过回流锡焊等方法将形成于陶瓷主体表面的外部电极焊接于设置在布线基板上的焊盘。

但是,作为烧结体的陶瓷主体的表面存在细孔,进行锡焊时焊锡中所含的熔剂会被吸入陶瓷主体的细孔。其结果是,各粒状的焊锡仍以微细的粒状熔融,不形成具有流动性的连续的液体,因此产生自对准性(熔融焊锡回填至外部电极与焊盘的间隙等,从而将陶瓷电子元器件可靠地安装在安装基板的焊盘上等规定位置的特性)下降的问题,并且产生外部电极和焊盘之间的连接可靠性下降的问题。

此外,从提高外部电极的锡焊性方面来看,虽然广泛实施例如在作为外部电极主体(基底层)的Ag电极上形成Ni镀膜、Sn镀膜等镀膜的方法,但存在镀敷工序中镀液或清洗水等浸入陶瓷主体内部而电特性劣化的问题。于是,为了解决该问题,提出了在陶瓷主体表面以及开放于表面的细孔部、外部电极上通过脱水缩合形成有机硅化合物的电子元器件的制造方法(参照专利文献1)。

而且,通过该方法,可防止镀液、水等浸入陶瓷主体内部,抑制电特性的劣化。

但事实上,即使在采用该方法的情况下,也无法防止进行锡焊时熔剂被吸入陶瓷主体的细孔,自对准性下降的问题并未得到解决。

此外,针对陶瓷电子元器件的安装中使用的锡焊技术,作为用于防止焊锡熔剂的上爬的组合物,提出了包含具有含多氟烷基的不饱和酯的聚合单元的聚合物、氟类表面活性剂、水系介质的组合物(参照专利文献2)。

而且,使用该组合物的情况下,可防止进行锡焊时熔剂被吸入陶瓷主体的细孔。

但是,如果在形成镀膜后进行涂布,则膜较厚,因此不仅会发生导通不良,而且还存在外部电极对焊锡的浸润性变差、安装时会发生浸润性不良的问题。另外,如果在形成镀膜前进行涂布,则镀敷性差,例如在进行镀镍时,存在Ni镀层的连续性变差的问题。

专利文献1:日本专利特开平10-214741号公报

专利文献2:日本专利特开平11-154783号公报

发明的揭示

本发明是解决上述问题的发明,其目的是提供可防止安装时的锡焊工序中因熔剂被吸入陶瓷主体的细孔而导致的自对准性的下降的陶瓷电子元器件的制造方法、以及可通过该方法制造的安装可靠性高的陶瓷电子元器件。

为了解决上述问题,本发明的陶瓷电子元器件的制造方法是包括陶瓷主体和设置于所述陶瓷主体表面的外部电极的陶瓷电子元器件的制造方法,其特征在于,

包括拒油处理工序,该拒油处理工序中,在所述陶瓷主体的表面形成所述外部电极后,用拒油处理剂对所述陶瓷主体实施拒油处理,在所述陶瓷主体的表面形成熔剂浸入防止膜,并且

所述拒油处理剂以包含至少一个

-CONH(CH2)3Si(OR)3

的多氟聚醚化合物为主要成分,包含氢氟醚作为溶剂;

式中,OR为甲氧基或乙氧基。

此外,本发明的陶瓷电子元器件的制造方法是包括陶瓷主体和设置于所述陶瓷主体表面的表面具有镀膜的外部电极的陶瓷电子元器件的制造方法,其特征在于,

包括拒油处理工序,该拒油处理工序中,在所述外部电极的表面形成所述镀膜后,用拒油处理剂对所述陶瓷主体实施拒油处理,在所述陶瓷主体的表面形成熔剂浸入防止膜,并且

所述拒油处理剂以包含至少一个

-CONH(CH2)3Si(OR)3

的多氟聚醚化合物为主要成分,包含氢氟醚作为溶剂;

式中,OR为甲氧基或乙氧基。

此外,本发明的陶瓷电子元器件的制造方法是包括陶瓷主体和设置于所述陶瓷主体表面的表面具有镀膜的外部电极的陶瓷电子元器件的制造方法,其特征在于,

包括拒油处理工序,该拒油处理工序中,在形成所述外部电极后、形成所述镀膜前,用拒油处理剂对所述陶瓷主体实施拒油处理,在所述陶瓷主体的表面形成熔剂浸入防止膜,并且

所述拒油处理剂以包含至少一个

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