[发明专利]用于形成阵列双图案的间隔物

权利要求书

1.一种用于形成具有外周边缘区域的阵列区域的方法，其中衬底配置为处于刻蚀层之下，所述刻蚀层配置为处于限定所述阵列区域和所述边缘区域的图案化的有机掩膜之下，包括：

修整所述图案化的有机掩膜；

在所述图案化的有机掩膜上淀积无机层，所述有机掩膜的所述边缘区域上的所述无机层的厚度大于所述有机掩膜的所述阵列区域上的所述无机层的厚度；

向下刻蚀所述无机层以暴露所述有机掩膜且在所述阵列区域形成无机间隔物，同时保留所述有机掩膜在边缘区域不暴露；和

剥除暴露于所述阵列区域的所述有机掩膜，同时保留所述无机间隔物处于所处位置且保护在所述边缘区域的所述有机掩膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述有机掩膜和所述刻蚀层之间配置无机层，进一步包括：

通过由所述淀积的无机层的侧壁形成的间隔物刻蚀所述无机层的所述阵列区域，其中所述刻蚀所述无机层也刻蚀掉所述边缘区域顶部的所述淀积的无机层；

去除在所述边缘区域的所述图案化的有机掩膜；

形成结合的有机线端(EOL)和边缘掩膜，其覆盖所述阵列区域，同时暴露出在所述阵列区域和所述边缘区域的线端(EOL)；

刻蚀所述线端和所述无机层的所述边缘区域；和

剥除所述有机EOL和边缘掩膜。

3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括刻蚀所述衬底。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述淀积所述无机层，包括：

用具有大于50毫托的处理压强的工艺在所述图案化的有机掩膜上淀积无机层；和

用具有小于10毫托的处理压强的工艺在所述图案化的有机掩膜上淀积无机层。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述淀积所述无机层，包括：

提供第一淀积，即在所述边缘区域上的所述有图案掩膜上淀积所述无机层，所淀积的所述无机层厚度厚于淀积于所述阵列掩膜的顶部和阵列光刻胶图案之间间距的底部的薄膜；和

提供第二淀积，其中通过所述边缘区域上的所述图案化的掩膜上的所述第二步骤的另外的淀积与所述阵列掩膜的顶部、阵列图案之间的间距的底部和所述有机掩膜的侧壁具有约相同的厚度。

6.根据权利要求3所述的方法，其中所述修整，所述淀积所述无机层，所述向下刻蚀所述无机层，所述剥除所述有机掩膜，所述刻蚀所述阵列区域，和所述移除在所述边缘区域的所述图案化的有机掩膜执行于单一的等离子体处理室。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述刻蚀所述线端和所述边缘区域，所述剥除所述有机EOL和边缘掩膜，和所述刻蚀所述衬底执行于单一的等离子体处理室。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述衬底处于硅晶片上。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述有机掩膜为光刻胶，且其中所述淀积的无机层包括氧化硅基材料。

10.根据权利要求9所述的方法，其中配置于所述有机掩膜和所述刻蚀层之间的所述无机层包括氧化硅。

11.根据权利要求10所述的方法，其中非晶碳层配置于所述无机层和所述刻蚀层之间。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述淀积所述无机层包括：

用具有大于50毫托的处理压强的工艺在所述图案化的有机掩膜上淀积无机层；和

用具有小于10毫托的处理压强的工艺在所述图案化的有机掩膜上淀积无机层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中使用大于50毫托的处理压强的所述图案化的有机掩膜上的所述淀积无机层，和使用小于10毫托的处理压强的所述图案化的有机掩膜上的所述淀积无机层之间的唯一不同是处理压强的不同，其它处理参数保持不变。

14.根据权利要求12所述的方法，其中使用大于50毫托的处理压强的所述图案化的有机掩膜上的所述淀积无机层，和使用小于10毫托的处理压强的所述图案化的有机掩膜上的所述淀积无机层使用相同的淀积气体化学组成。