[发明专利]用于形成阵列双图案的间隔物

说明书

背景技术

本发明涉及半导体器件的形成。

在半导体晶片处理中，半导体器件的特征使用公知的图案和刻蚀工艺被限定在晶片中。在这些工艺中，光刻胶(PR)材料淀积于晶片上然后通过暴露于经掩膜版的光。掩膜版通常为经典型的特征几何图案化的玻璃板，特征几何图案阻止光穿过掩膜版。

穿过掩膜版以后，光接触光刻胶材料的表面。光改变光刻胶材料的化学成分，从而显影液能够去除部分光刻胶材料。在光刻胶材料为正性的情况下，去除暴露区域，在光刻胶材料为负性的情况下，去除非暴露区域。其后，刻蚀晶片以去除不再被光刻胶材料保护的区域的下层的材料，且从而在晶片中限定所需要的特征。

发明内容

要实现以上所述目标且依据本发明的目的，本发明提供了一种用于形成具有外周边缘区域的阵列区域的方法，其中衬底配置于刻蚀层之下，所述刻蚀层配置于限定所述阵列区域和所述边缘区域的图案化的有机掩膜之下。所述图案化的有机掩膜被修整了。在所述图案化的有机掩膜上淀积无机层，所述有机掩膜的所述边缘区域上的所述无机层的厚度大于所述有机掩膜的所述阵列区域上的所述无机层的厚度。向下刻蚀所述无机层以暴露所述有机掩膜且在所述阵列区域形成无机间隔物，同时保留所述有机掩膜在边缘区域不暴露。剥除暴露于所述阵列区域的所述有机掩膜，同时保留所述无机间隔物于所处位置且保护在所述边缘区域的所述有机掩膜。

在本发明的另一种表现方式中，提供了一种用于形成具有外周边缘区域的阵列区域的装置，其中衬底配置于刻蚀层之下，所述刻蚀层配置于限定所述阵列区域和所述边缘区域的图案化的有机掩膜之下。等离子体处理室被提供了，其包括形成等离子体处理室壳体的室壁，用于支撑所述等离子体处理室壳体内的衬底的衬底支撑件，用于调节所述等离子体处理室壳体内的压强的调压器，用于向所述等离子体处理室壳体提供能量以维持等离子体的至少一根天线，用于提供偏压的至少一个偏压电极，用于向所述等离子体处理室壳体中提供气体的进气口，和用于从所述等离子体处理室壳体中排出气体的排气口。气体源与所述进气口流体连通且包括整理气体源、无机层淀积气体源、向下刻蚀气体源，和剥除气体源。控制器可控地连接于所述气体源、所述至少一个天线和至少一个偏压电极，且包括至少一个处理器和计算机可读介质。计算机可读介质包括用于整理所述图案化的有机掩膜的计算机可读代码；用于在所述图案化的有机掩膜上淀积无机层的计算机代码，其中，所述有机掩膜的在所述边缘区域上的所述无机层的厚度大于所述有机掩膜的在所述阵列区域上的所述无机层的厚度；用于向下刻蚀所述无机层以暴露所述有机掩膜并在所述阵列区域形成无机间隔物，同时保留所述边缘区域上的所述有机掩膜不暴露的计算机可读代码；和用于剥除暴露于所述阵列区域的所述有机掩膜，同时保留所述无机间隔物于所处位置且保护在所述边缘区域的所述有机掩膜的计算机代码。

本发明的这些和其它特征将在下文的具体实施方式中结合附图进行更详细的描述。

附图说明

本发明以附图部分的图例进行示例式而非限制式的描述，附图中相同的数字标号指代类似的元件，且其中：

图1为可以用于本发明的具体实施方式中的方法的高阶流程图。

图2A-L为依据本发明的一种具体实施方式处理的硅晶片的一个示例的部分的俯视图。

图3A-L为图2A-L的放大剖视图。

图4示出了可以用于实现本发明的处理工具。

图5A和图5B示出了计算机系统，其适于实现用于本发明的一种具体实施方式中使用的控制电路的控制器。

图6为用于本发明的一种具体实施方式中使用的淀积无机层的两个步骤过程的流程图。

图7A-B为根据图6所示的过程处理的堆栈(stack)的一部分的原理剖视图。

具体实施方式

本发明现在将参照附图中所示出的一些优选的具体实施方式进行详细描述。在随后的描述中，许多具体细节被阐述以便充分理解本发明。然而，对本领域的技术人员而言，显然没有这些具体细节的一些或者全部本发明也可以实施。在其它实施例中，为了避免不必要地模糊本发明，公知的工序和/或结构没有详细描述。