[发明专利]阳极化薄膜结构的电连接有效
申请号: | 200980155675.0 | 申请日: | 2009-12-03 |
公开(公告)号: | CN102301431A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 史蒂文·D·泰斯;迈克尔·A·哈斯 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B1/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 梁晓广;关兆辉 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阳极 薄膜 结构 连接 | ||
1.一种在基底上形成第一导电层与第二导电层之间的电连接的方法,所述方法包括:
在连接区域形成与所述第一层电接触的垫,所述垫包括与所述第一层的材料不同的导电材料;
将所述第一层的区域阳极化处理;
阳极化处理之后,露出所述垫;以及
布置所述第二层,使之与露出的垫电接触。
2.根据权利要求1所述的方法,其中形成所述垫包括:
在所述基底上形成所述垫;以及
将所述第一层布置在所述垫的至少一部分上。
3.根据权利要求1所述的方法,其中形成所述垫包括:
在所述基底上形成所述第一层;以及
在所述第一层上形成所述垫的至少一部分。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法,还包括在阳极化处理前用光致抗蚀剂涂覆所述垫的至少一部分。
5.根据权利要求4所述的方法,还包括在阳极化处理前使所述光致抗蚀剂硬化。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法,其中形成所述垫包括形成一个或多个子层,所述子层中的至少一个被构造用于促进粘附。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法,其中所述垫包括金、钯和掺杂的半导体中的一者或多者。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法,其中形成所述垫包括在同一沉积步骤中形成所述垫以及电子器件的电极。
9.一种方法,包括:
将光致抗蚀剂在一个或多个断开/连接区域中在导电层上图案化;
使所述光致抗蚀剂硬化;
将所述导电层的区域阳极化处理,而基本上不阳极化处理所述断开/连接区域中的所述导电层;
阳极化处理之后,移除硬化的光致抗蚀剂以露出在所述断开/连接区域中的所述导电层;以及
在所述断开/连接区域,将所述导电层连接到另一导电层,或者将所述导电层的第一部分从所述导电层的第二部分断开。
10.根据权利要求9所述的方法,其中使所述光致抗蚀剂硬化包括将所述光致抗蚀剂加热到至少足以软化所述光致抗蚀剂的温度。
11.根据权利要求9-10中任一项所述的方法,还包括在所述断开/连接区域布置导电垫,其中涂覆所述断开/连接区域包括用所述光致抗蚀剂涂覆所述导电阻挡垫。
12.根据权利要求9-11中任一项所述的方法,其中所述导电层被布置在包括长条状膜的柔性基底上,涂覆所述光致抗蚀剂、使所述光致抗蚀剂硬化、阳极化处理、移除所述硬化的光致抗蚀剂、以及连接所述导电层或断开所述导电层的部分的步骤中的一个或多个作为卷到卷工序的一部分来执行。
13.根据权利要求9-12中任一项所述的方法,其中将所述导电层的所述第一部分从所述导电层的所述第二部分断开包括在所述断开/连接区域移除所述导电层的区域。
14.一种电路子系统,包括:
柔性基底上的包含第一导电材料的第一层;
硬化的光致抗蚀剂,所述硬化的光致抗蚀剂在一个或多个离散的断开/连接区域中布置在所述第一层上;以及
阳极化层,所述阳极化层包含阳极化形式的所述第一材料,所述阳极化层形成在所述第一层的除了所述断开/连接区域之外的部分上。
15.根据权利要求14所述的子系统,还包括在所述断开/连接区域中布置在所述第一层与所述硬化的光致抗蚀剂之间的导电垫。
16.根据权利要求15所述的子系统,其中所述导电垫包括金、银、铂、钯、导电氧化物和掺杂的半导体中的一者或多者。
17.根据权利要求15-16中任一项所述的子系统,其中所述导电垫包括一个或多个子层。
18.根据权利要求17所述的子系统,其中所述一个或多个子层包括被构造用于增强所述导电垫与邻近层之间的粘附的粘合层和被构造用于减弱导电垫与邻近层的合金化的层中的一个或多个。
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