[发明专利]TFT阵列检查方法以及TFT阵列检查装置有效

专利信息
申请号: 200980156196.0 申请日: 2009-02-04
公开(公告)号: CN102308202A 公开(公告)日: 2012-01-04
发明(设计)人: 西原隆治 申请(专利权)人: 株式会社岛津制作所
主分类号: G01N23/225 分类号: G01N23/225;G01R31/26;G02F1/13;G02F1/133;G02F1/1368;G09F9/00;H01L21/66;H01L29/786
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: tft 阵列 检查 方法 以及 装置
【权利要求书】:

1.一种TFT基板的检查方法,对TFT基板的TFT阵列施加电压,对通过电子束的照射而获得的二次电子进行检测,从而检查TFT阵列的缺陷,该TFT基板的检查方法的特征在于,

将用于扫描TFT阵列的所有像素的时间宽度设为一帧,

在包含多个上述帧的一个栅极周期内,作为用于驱动像素的驱动模式,具有以下电压模式:在上述多个帧内的时间上的第一帧的初始期间将电压设为正电压和负电压中的某一种电压,之后,在上述第一帧的剩余期间以及第二帧之后的帧内使上述电压进行正负反转,

使用上述电压模式来对TFT阵列的像素施加上述第一帧的初始期间的正电压和负电压中的某一种电压,之后,在上述一个栅极周期的整个时间宽度内保持对上述像素施加的电压。

2.根据权利要求1所述的TFT基板的检查方法,其特征在于,

在上述第一帧的初始期间内,通过将上述TFT阵列的TFT设为导通状态,从而对TFT阵列的像素施加上述第一帧的初始期间的正电压和负电压中的某一种电压,

通过将上述TFT阵列的TFT设为截止状态,在上述一个栅极周期的整个时间宽度内保持对上述像素施加的电压。

3.根据权利要求2所述的TFT基板的检查方法,其特征在于,

对于上述TFT阵列使栅极线与源极线栅格状地排列,

根据施加于上述栅极线的栅极信号来控制TFT阵列的TFT的导通状态和截止状态,

根据施加于上述源极线的源极信号,经由上述导通状态的TFT来对像素施加电压模式的电压,使上述像素保持被施加的电压。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的TFT基板的检查方法,其特征在于,

通过使经由附加电容连接于上述像素的共用线的电压向负侧偏移,从而增大正常像素与短路缺陷像素之间的电压差。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的TFT基板的检查方法,其特征在于,

在上述一个栅极周期所具备的多个帧内,根据对在时间上靠后的帧内进行扫描而获取的检测信号来进行缺陷检测。

6.一种TFT基板的检查装置,对TFT基板的TFT阵列施加电压,根据通过电子束的照射而获得的二次电子来检测基于该施加电压的电压状态,从而对TFT阵列的缺陷进行检查,该TFT基板的检查装置的特征在于,具备:

电子束源,其对TFT基板照射电子束;

检测器,其检测从TFT基板发射出的二次电子;

检查信号生成部,其生成检查信号并将该检查信号施加到TFT基板的TFT阵列;以及

缺陷检测部,其根据上述检测器的检测信号来检测TFT阵列的缺陷,

其中,上述检查信号生成部将用于扫描TFT阵列的所有像素的时间宽度设为一帧,在包含多个上述帧的一个栅极周期内,生成具备作为用于驱动像素的驱动模式的以下电压模式的检查信号,该电压模式为:在上述多个帧内的在时间上的第一帧的初始期间将电压设为正电压和负电压中的某一种电压,之后,在上述第一帧的剩余期间以及第二帧之后的帧内使上述电压进行正负反转,

上述缺陷检测部使用上述电压模式来对TFT阵列的像素施加上述第一帧的初始期间的正电压和负电压中的某一种电压,之后,在上述一个栅极周期的整个时间宽度内保持对上述像素施加的电压,根据由该电压保持所获取的像素电压来检测像素的缺陷。

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