[发明专利]制备金属薄膜的方法

权利要求书

1.一种制备金属膜的方法，其特征在于，包括：

a)将含有有机金属络合物的金属油墨涂覆或印刷于基片上；以及

b)于步骤(a)之后，在通过煅烧金属油墨而形成金属微粒的过程中，平行进行压力工序，从而形成导电金属薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述压力工序通过至少一种选自下述的方法实施：使用气体的加压法，使用传送带、辊轴或压力机的压制法，以及使用真空室的方式。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述压力工序采用加压工序或解压工序，或采用加压和解压两道工序。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述加压工序在1Kg/cm²至5000Kg/cm²的压强下实施。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述解压工序在10²托至10^-6托的压强下实施。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机金属络合物是通过使由下述化学式1表示的至少一种金属或金属化合物与由下述化学式2、3或4表示的至少一种铵化合物反应而获得：

[化学式1]

M_nX

其中，M为金属或金属合金；n为1至10的整数；且X不存在或为至少一种选自下组的取代基：氢、铵、氧、硫、卤素、氰基、氰酸盐、碳酸盐、硝酸盐、亚硝酸盐、硫酸盐、磷酸盐、硫氰酸盐、氯酸盐、高氯酸盐、四氟硼酸盐、乙酰丙酮化物、巯基、酰胺、醇盐、羧酸盐及它们的衍生物。

[化学式2]

其中，R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地选自下组：氢，取代或未取代的C1-C30脂肪族或环状脂肪族烷基、芳基或芳烷基，高分子化合物基团，杂环化合物基团，以及它们的衍生物；且R1和R2或R4和R5彼此相连形成环。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述金属或金属化合物包括至少一种选自下组的组分：Au、Cu、Zn、Ni、Co、Pd、Pt、Ti、V、Mn、Fe、Cr、Zr、Nb、Mo、W、Ru、Cd、Ta、Re、Os、Ir、Al、Ga、Ge、In、Sn、Sb、Pb、Bi、Sm、Eu、Ac、Th、氧化铜、氧化锌、氧化钒、硫化镍、氯化钯、碳酸铜、氯化铁、氯化金、氯化镍、氯化钴、硝酸铋、乙酰丙酮钒、醋酸钴、乳酸锡、草酸锰、醋酸金、草酸钯、2-乙基己酸铜、硬脂酸铁、甲酸镍、钼酸铵、柠檬酸锌、醋酸铋、氰化铜、碳酸钴、氯化铂、四氯金酸、钛酸四丁酯、二甲氧基二氯化锆、异丙醇铝、四氟硼酸锡、甲醇钽、十二烷基巯基金和乙酰丙酮铟。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述铵化合物的R1至R6包括至少一种选自下组的基团：氢、甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、戊基、己基、乙基己基、庚基、辛基、异辛基、壬基、癸基、十二烷基、十六烷基、十八烷基、二十二烷基、环丙基、环戊基、环己基、烯丙基、羟基、甲氧基、羟乙基、甲氧基乙基、2-羟丙基、甲氧基丙基、氰乙基、乙氧基、丁氧基、己氧基、甲氧基乙氧基乙基、甲氧基乙氧基乙氧基乙基、六亚甲基亚胺、吗啉、哌啶、哌嗪、乙二胺、丙二胺、己二胺、三乙烯二胺、吡咯、咪唑、吡啶、羧甲基、三甲氧基甲硅烷基丙基、三乙氧基甲硅烷基丙基、苯基、甲氧基苯基、氰基苯基、苯氧基、甲苯基、苄基和它们的衍生物，以及高分子化合物如聚烯丙胺或聚乙烯亚胺及其衍生物。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成金属微粒的过程是当有机金属络合物被还原形成金属纳米微粒的时刻或金属纳米微粒形成的过程。