[发明专利]具有多个马赫-增德尔干涉仪的光调制器的特性测评方法

权利要求书

1.一种方法，为包含多个马赫-增德尔干涉仪(MZI)的光调制器的特性测评方法，其特征在于，

设所述光调制器包含并联的N个(N为2以上的整数)MZI，测评对象MZI为第K个MZI(MZI_K)，所述MZI_K的n次边频成分的强度为S_n，k，

所述方法包括测定输出光强度的步骤与测评MZI的特性的步骤，

所述测定输出光强度的步骤为求得所述光调制器所输出的输出光中所包含的边频信号的强度(S_n，K)的步骤，

所述测评MZI的特性的步骤为用所述S_n，k测评所述MZI_K的特性的步骤。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

还包括调整所述多个MZI中所述MZI_K以外的MZI上被施加的偏置电压，抑制从所述光调制器输出的输出光中所包含的0次成分的步骤，

由所述抑制所述0次成分的步骤抑制了所述光调制器的0次成分后，进行所述测定输出光强度的步骤，求得所述光调制器所输出的输出光中所包含的边频信号的强度(S_n，K)。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测评MZI的特性的步骤包括以下步骤：

判断所述MZI_K的n次边频成分S_n，k(n≠0)的强度与所述MZI_K的-n次边频成分S_-n，k(n≠0)的强度之差或之比是否在规定的阈值以下，从而测评所述MZI_K的不齐量。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述测评MZI的特性的步骤包括下述步骤：

控制所述MZI_K的电极上被施加的偏置电压，

测得，

边频的奇数次成分为最小或偶数次成分为最大时的偏置电压下，所述MZI_K的n次边频成分(S_n，K^(-))，与

边频的奇数次成分为最大或偶数次成分为最小时的偏置电压下，所述MZI_K的n次边频成分(S_n，K⁽⁺⁾)，

用所测得的所述S_n，K^(-)与所述S_n，K⁽⁺⁾求得所述MZI_K的消光比(η_K)。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述测评MZI的特性的步骤包括下述步骤：

控制所述MZI_K的电极上被施加的偏置电压，

测得，

边频的奇数次成分为最小或偶数次成分为最大时的偏置电压下，所述MZI_K的n次边频成分(S_n，K^(-))，与

边频的奇数次成分为最大或偶数次成分为最小时的偏置电压下，所述MZI_K的n次边频成分(S_n，K⁽⁺⁾)，

用所测得的所述S_n，K^(-)与所述S_n，K⁽⁺⁾求得所述MZI_K的线性调频信号参数(α_K^*)。