[发明专利]硅纯度测定器、硅分类装置以及硅纯度测定方法无效
| 申请号： | 200980161762.7 | 申请日： | 2009-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102549418A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 泷泽务;成川利明 | 申请（专利权）人： | 东洋玻璃株式会社 |
| 主分类号： | G01N27/72 | 分类号： | G01N27/72 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纯度 测定 分类 装置 以及 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅纯度测定器，其特征在于，包括：
检查台；
磁场发生器，其产生测定用磁场，并使磁通穿过配置于该检查台上的硅的内部；
判断部，其判断瞬断所述测定用磁场后的磁场的衰减程度，
所述硅纯度测定器根据所述判断部所判断的衰减程度来确定所述硅的内部纯度。
2.按照权利要求1所述的硅纯度测定器，其特征在于，包括收纳所述磁场发生器以及所述判断部的框体，
并在该框体上设置所述检查台和显示所确定的纯度的显示部。
3.一种硅分类装置，其特征在于：
在输送硅的输送通路上设置硅纯度测定器，并在所述硅纯度测定器的下游的所述输送通路上设置基于由所述硅纯度测定器测定的所述硅的内部纯度来对所述硅进行分类的分类器，其中，所述硅纯度测定器包括：
检查台；
磁场发生器，其产生测定用磁场，并使磁通穿过配置于该检查台上的硅的内部；
判断部，其判断瞬断所述测定用磁场后的磁场的衰减程度，
所述硅纯度测定器根据所述判断部判断的衰减程度来确定所述硅的内部纯度。
4.一种硅纯度测定方法，其特征在于：
产生测定用磁场，并使磁通穿过配置于检查台上的硅的内部，瞬断该测定用磁场，判断瞬断后的磁场的衰减程度，根据所判断的衰减程度来确定硅的内部纯度。
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