[发明专利]硅纯度测定器、硅分类装置以及硅纯度测定方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于测定硅的纯度的硅纯度测定器、硅分类装置以及硅纯度测定方法。

背景技术

在硅的精制等情况下，被废弃的硅废料具有可作为太阳能电池的原料等加以利用的纯度，是可作为再生资源加以利用的有用物质。将硅废料破碎后分割成块，并根据其纯度进行分类而进行再利用。硅具有电阻值越大其纯度越高的特性，以往通过电阻测定器来测定电阻值，并根据其电阻值来进行区分。

作为测定硅块(silicone block)的电阻值的电阻测定器，已知有采用四探针法的测定器(例如参见专利文献1)。该电阻测定器包括4根探针(金属制电极)，并通过用人手使这些金属制电极与硅块表面接触，由此来测定硅块的电阻值。现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利公开2003-232822号公报。

发明内容

但是，由于上述现有的电阻测定器是通过将金属制电极与硅块接触来测定电阻值，所以会因接触压力的差异而产生测定误差，并且硅块会因金属制电极而造成金属污染。

另外，对于硅而言，氧化程度越高，电阻值越高，所以随着时间的迁移，硅块表面的电阻值将高于其内部。所以，在通过上述现有的电阻测定器来测定硅块表面的电阻值时，所测定到的电阻值高于硅块内部的电阻值，导致在分类时有可能使内部纯度低的硅块混入内部纯度高的硅块中。

本发明就是鉴于上述情形而完成的，其目的是提供一种可防止硅的金属污染并能够测定硅内部的纯度的硅纯度测定器、硅分类装置以及硅纯度测定方法。

为了达到上述目的，本发明提供一种硅纯度测定器，其特征在于，包括：检查台；产生测定用磁场，并使磁通穿过配置于该检查台上的硅的内部的磁场发生器；判断瞬断上述测定用磁场后的磁场的衰减程度的判断部，所述硅纯度测定器根据上述判断部所判断的衰减程度来确定上述硅的内部纯度。

还可以在上述构成中包括收纳上述磁场发生器以及上述判断部的框体，并在该框体上设置上述检查台和显示所确定的纯度的显示部。

另外，本发明提供一种硅分类装置，其特征在于：在输送硅的输送通路上设置硅纯度测定器，并在上述硅纯度测定器的下游的上述输送通路上设置基于由上述硅纯度测定器测定的上述硅的内部纯度来对上述硅进行分类的分类器，所述硅纯度测定器包括：检查台；产生测定用磁场，并使磁通穿过配置于该检查台上的硅的内部的磁场发生器；判断瞬断上述测定用磁场后的磁场的衰减程度的判断部，上述硅纯度测定器根据上述判断部所判断的衰减程度来确定上述硅的内部纯度。

另外，本发明提供一种硅纯度测定方法，其特征在于：产生测定用磁场，并使磁通穿过配置于检查台上的硅的内部，瞬断该测定用磁场，判断瞬断后的磁场的衰减程度，根据所判断的衰减程度来确定硅的内部纯度。

根据本发明，由于包括检查台；产生测定用磁场，并使磁通穿过配置于该检查台上的硅的内部的磁场发生器；判断瞬断测定用磁场后的磁场的衰减程度的判断部，并根据判断部所判断的衰减程度来确定硅的内部纯度，所以能够防止硅的金属污染，并能够测定硅的内部纯度。

附图说明

图1是表示本发明实施方式所涉及的硅纯度测定器的立体图。

图2是图1的II-II截面图。

图3是表示已产生测定用磁场的状态的硅纯度测定器的图。

图4是表示测定用线圈的电压波形的图。

图5是表示衰减特性与硅内部纯度的关系的图。

图6是表示衰减时间与硅内部纯度的关系的图。

图7是表示硅纯度测定器的功能性结构的框图。

图8是表示硅分类装置的结构简图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。

图1是表示本发明实施方式所涉及的硅纯度测定器的立体图。图2是图1的II-II截面图。

如图1所示，硅纯度测定器10包括大致箱状的框体12。在框体12的上板12A相邻配置着开关22以及显示部24。在框体12的上板12A一体地形成有用于承载硅块(硅)200的检查台13。检查台13例如采用塑料等非金属制原材料而构成。由此，可防止硅块200与金属的接触，进而防止硅块200的金属污染。

硅块200例如是将精制硅时所产生的硅废料破碎至规定程度而得到的破碎物。因各硅块200为破碎物，故呈现各种形状。在本实施方式中，硅块200被破碎成例如5cm左右的大小。其中，所谓5cm左右，是指针对一个硅块200测定其任意端部间的长度时的长度。